[發(fā)明專利]一種含新型隧穿結(jié)的晶格失配太陽能電池及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610562253.7 | 申請日： | 2016-07-14 |
| 公開（公告）號： | CN106024924B | 公開（公告）日： | 2018-05-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉雪珍;周文遠(yuǎn);吳波;劉建慶;張小賓;楊翠柏 | 申請（專利權(quán)）人： | 中山德華芯片技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0304 | 分類號： | H01L31/0304;H01L31/0725;H01L31/0735;H01L31/18 |
| 代理公司： | 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人： | 梁瑩 |
| 地址： | 528437 廣東省中山*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 新型 隧穿結(jié) 晶格 失配 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
【說明書】：
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中山德華芯片技術(shù)有限公司，未經(jīng)中山德華芯片技術(shù)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610562253.7/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：圖像形成裝置以及控制方法
- 下一篇：顯影劑容器、圖像形成單元和圖像形成裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
- 低中頻接收機(jī)的I/Q失配補(bǔ)償電路
- 一種帶有阻抗失配網(wǎng)絡(luò)的EMI濾波器網(wǎng)絡(luò)
- 基于p范數(shù)的相位編碼信號和失配濾波器的聯(lián)合優(yōu)化方法
- 一種具備數(shù)字失配校正能力的逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器
- 一種具有溫度效應(yīng)模型的失配模型之建模方法
- 一種MOS晶體管的器件失配模型的修正方法及系統(tǒng)
- 一種通用交替采樣ADC系統(tǒng)
- 一種基于兩次相位補(bǔ)償?shù)姆€(wěn)健自適應(yīng)脈沖壓縮方法
- 電阻失配模型及提取方法
- 使用與失配計(jì)數(shù)相比較的可變基準(zhǔn)的同步檢測電路和方法
