[發明專利]倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查裝置及方法

有效

• 申請號: 201610561313.3
• 申請日: 2016-07-15
• 公開（公告）號: CN106611728B
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 金相哲
• 申請（專利權）人: 韓華精密機械株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/66;B23K1/20;B23K3/08
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;孫昌浩

1.一種倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查裝置，包括：

吸嘴驅動部，用于使助焊劑涂覆在凸點的倒裝芯片移動到檢查位置；

主照明部，用于向所述倒裝芯片的凸點照射具有針對所述助焊劑的吸收率高的特定區域的波長范圍的光；

拍攝部，用于拍攝從所述主照明部照射的所述光的反射光；以及

視覺確認部，用于讀取通過所述拍攝部拍攝的視頻或圖像而顯示助焊劑針對所述倒裝芯片的凸點的涂覆與否，

所述特定區域的波長范圍是具有針對所述助焊劑的吸收率隨著波長的變化而呈現的多個峰值中的一個峰值的波長范圍，

在由所述拍攝部拍攝所述反射光時，倒裝芯片的未涂覆有所述助焊劑的位置的光強大小被拍攝為大于倒裝芯片的涂覆有所述助焊劑的位置的光強大小。

2.如權利要求1所述的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查裝置，其中，

所述主照明部從所述凸點的下部的側方向以傾斜的方向照射具有所述助焊劑能夠最強地吸收的特定區域的波長范圍的光，

照射到所述倒裝芯片的凸點的所述光沿著所述倒裝芯片的凸點的下方向反射。

3.如權利要求2所述的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查裝置，其中，

包括：反射部,用于將從所述倒裝芯片的凸點反射的所述反射光的路徑引導至所述拍攝部側，

在所述反射部的下部側還包括：輔助照明部，用于根據輸入信號而使具有針對所述助焊劑的吸收率高的特定區域的波長范圍的光照射到所述倒裝芯片的凸點。

4.如權利要求3所述的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查裝置，其中，

所述反射部是分束器，用于使從所述輔助照明部照射的光透過，并使從所述倒裝芯片的凸點反射的反射光反射。

5.如權利要求3所述的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查裝置，其中，

所述主照明部形成有透光孔，用于使從所述倒裝芯片的凸點反射的反射光透過，并使從所述輔助照明部照射的光通過。

6.如權利要求1所述的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查裝置，其中，

從所述主照明部照射的光的波長范圍是400nm～500nm區域的波長范圍。

7.如權利要求1或6所述的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查裝置，其中，

將帶通濾波器布置在所述主照明部，從而使具有所述特定區域的波長范圍的光照射。

8.如權利要求3所述的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查裝置，其中，

從所述輔助照明部照射的光的波長范圍是400nm～500nm區域的波長范圍。

9.如權利要求3或8所述的倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查裝置，其中，

將帶通濾波器布置在所述輔助照明部，從而使具有所述特定區域的波長范圍的光照射。

10.一種倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查方法，利用倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態檢查裝置檢查倒裝芯片的助焊劑涂覆狀態的方法包括如下步驟：

(a)使涂覆有助焊劑的倒裝芯片移動到檢查位置；

(b)向所述倒裝芯片的凸點照射具有針對所述助焊劑的吸收率高的特定區域的波長范圍的光；

(c)拍攝從所述倒裝芯片的凸點反射的反射光；

(d)讀取拍攝的所述反射光的視頻或圖像而顯示助焊劑針對所述倒裝芯片的凸點的涂覆與否；

(e)在所述(d)步驟中，以如下方式進行檢查：基于所述拍攝到的反射光，由于倒裝芯片的未涂覆有所述助焊劑的部分的位置的光強大小被檢測為大于倒裝芯片的涂覆有所述助焊劑的部分的位置的光強大小，將具有相對較低的光強的反射光的位置判斷為涂覆有助焊劑的位置；將具有相對較高的光強的反射光的位置判斷為未涂覆有助焊劑的位置。