[發明專利]基板、功率模塊封裝及圖案化的絕緣金屬基板的制造方法在審
| 申請號： | 201610559866.5 | 申請日： | 2016-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN107342275A | 公開（公告）日： | 2017-11-10 |
| 發明（設計）人： | 蔡欣昌;李嘉炎;李芃昕 | 申請（專利權）人： | 臺達電子工業股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495;H01L21/48 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司72003 | 代理人： | 張福根,馮志云 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基板 功率 模塊 封裝 圖案 絕緣 金屬 制造 方法 | ||
1.一種基板，其特征在于，包括：
一金屬載板；
一圖案化的絕緣層，設置于該金屬載板上，且部分地覆蓋該金屬載板；以及
一圖案化的導電層，設置于該圖案化的絕緣層上。
2.如權利要求1所述的基板，其特征在于，該金屬載板具有一孔洞、一凹槽或一狹長孔，未被該圖案化的絕緣層所覆蓋。
3.如權利要求1所述的基板，其特征在于，該金屬載板具有一開口，未被該圖案化的絕緣層所覆蓋。
4.如權利要求1所述的基板，其特征在于，該金屬載板為一導線架，材質包括銅。
5.一種功率模塊封裝，其特征在于，包括：
一基板，具有一金屬載板、一圖案化的絕緣層以及一圖案化的導電層，該圖案化的絕緣層設置于該金屬載板上，且部分地覆蓋該金屬載板，該圖案化的導電層設置于該圖案化的絕緣層上；
一第一晶片，設置于未被該圖案化的絕緣層所覆蓋的該金屬載板上；以及一第二晶片，設置于該圖案化的導電層上，且電性連接該第一晶片。
6.如權利要求5所述的功率模塊封裝，其特征在于，該金屬載板具有一孔洞、一凹槽或一狹長孔，且該第一晶片設置于其中。
7.如權利要求5所述的功率模塊封裝，其特征在于，該金屬載板具有一開口，且該第一晶片設置于其中。
8.如權利要求5所述的功率模塊封裝，其特征在于，該圖案化的絕緣層具有一第一圖案化絕緣部分及一第二圖案化絕緣部分，該第一圖案化絕緣部分被該圖案化的導電層的一部份所覆蓋，且該第二晶片設置于該圖案化的導電層的該部份上。
9.如權利要求5所述的功率模塊封裝，其特征在于，該圖案化的絕緣層具有一第一圖案化絕緣部分及一第二圖案化絕緣部分，該第一圖案化絕緣部分被該圖案化的導電層的一部份所覆蓋，而該第二圖案化絕緣部分被該圖案化的導電層的另一部分所覆蓋，且該第一晶片電性連接該圖案化的導電層的該另一部分。
10.如權利要求5所述的功率模塊封裝，其特征在于，該第一晶片直接連接該金屬載板。
11.如權利要求5所述的功率模塊封裝，其特征在于，該金屬載板為一導線架，材質包括銅。
12.如權利要求5所述的功率模塊封裝，其特征在于，該第一晶片為一水平式半導體元件。
13.如權利要求5所述的功率模塊封裝，其特征在于，該第二晶片為一垂直式半導體元件。
14.如權利要求5所述的功率模塊封裝，其特征在于，該第一晶片具有相對的一主動端及一底面端，該主動端上設有多個電極，且該第一晶片通過該底面端設置于該金屬載板上。
15.一種圖案化的絕緣金屬基板的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板，具有一絕緣層及一圖案化的導電層，該圖案化的導電層覆蓋該絕緣層的一上表面；
形成一粘著面于該絕緣層的一下表面；
形成一開口，穿過該絕緣層；以及
壓合一圖案化的金屬載板于該絕緣層的該粘著面。
16.一種圖案化的絕緣金屬基板的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板，具有一絕緣層及一圖案化的導電層，該圖案化的導電層覆蓋該絕緣層的一上表面；
形成一粘著面于該絕緣層的一下表面；
形成一開口，穿過該絕緣層；
壓合一金屬載板于該絕緣層的該粘著面；以及
圖案化壓合后的該金屬載板。
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