[發明專利]一種g?C3N4/MoS2/ZnS納米復合材料的制備方法在審
| 申請號： | 201610557028.4 | 申請日： | 2016-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN106241877A | 公開（公告）日： | 2016-12-21 |
| 發明（設計）人： | 李長生;張帥;董金澤;唐國鋼;徐晶 | 申請（專利權）人： | 江蘇大學 |
| 主分類號： | C01G39/06 | 分類號： | C01G39/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 c3n4 mos2 zns 納米 復合材料 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江蘇大學，未經江蘇大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610557028.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種三次氨浸渣的處理方法
- 下一篇：一種1T相單層二硫化鉬納米片的制備方法
