[發明專利]生長在釔鋁石榴石襯底上的InGaN/GaN多量子阱及制備方法在審
| 申請號： | 201610555803.2 | 申請日： | 2016-07-12 |
| 公開（公告）號： | CN106098881A | 公開（公告）日： | 2016-11-09 |
| 發明（設計）人： | 李國強 | 申請（專利權）人： | 河源市眾拓光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/04 | 分類號： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 陳振楔 |
| 地址： | 517000 廣東省河源市高新技術開*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 生長 石榴石 襯底 ingan gan 多量 制備 方法 | ||
【說明書】：
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