[發明專利]一種釓鈥離子注入的鍍鎳釹鐵硼磁體及其制備方法在審
| 申請號： | 201610555168.8 | 申請日： | 2016-07-14 |
| 公開（公告）號： | CN105931785A | 公開（公告）日： | 2016-09-07 |
| 發明（設計）人： | 唐睿;沈軍 | 申請（專利權）人： | 安徽萬磁電子有限公司 |
| 主分類號： | H01F1/057 | 分類號： | H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 231500 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 離子 注入 鍍鎳釹鐵硼 磁體 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
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