[發明專利]電熔絲結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201610554741.3
• 申請日: 2016-07-14
• 公開（公告）號: CN107622991B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 永井享浩
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種制作半導體元件的方法，包含：

提供一基底；

形成多個第一熔絲分支與多個第二熔絲分支于該基底上，其中該多個第一熔絲分支及該多個第二熔絲分支是通過一淺溝隔離隔開；以及

形成多個熔絲本體連接該多個第一熔絲分支及該多個第二熔絲分支，其中該多個第一熔絲分支沿著第一方向包含不同長度，該多個第一熔絲分支沿著第二方向包含不同寬度，該多個第一熔絲分支沿著第二方向彼此接觸，該多個第一熔絲分支不連接該多個熔絲本體的一端沿著第二方向切齊，

該多個第二熔絲分支沿著第一方向包含不同長度，該多個第二熔絲分支沿著第二方向包含不同寬度，該多個熔絲本體在上視角度下沿著第二方向延伸的寬度大于該多個第二熔絲分支的寬度，且

第一方向為該多個第一熔絲分支、該多個第二熔絲分支以及該多個熔絲本體的延伸方向。

2.如權利要求1所述的方法，其中該多個第一熔絲分支包含單一摻雜區。

3.如權利要求1所述的方法，其中該多個第二熔絲分支包含多個彼此不接觸的摻雜區。

4.如權利要求1所述的方法，其中該多個熔絲本體包含多個導電層。

5.如權利要求4所述的方法，其中該多個導電層包含銅。

6.如權利要求1所述的方法，其中該多個第二熔絲分支之間不相互接觸。

7.一種半導體元件，包含：

多個可通過激光被燒斷的熔絲本體；

多個第一熔絲分支沿著第一方向延伸并連接該多個熔絲本體的一邊，其中，該多個第一熔絲分支沿著第一方向包含不同長度，該多個第一熔絲分支沿著第二方向包含不同寬度；以及

該多個第一熔絲分支沿著第二方向彼此接觸，且該多個第一熔絲分支不連接該多個熔絲本體的一端沿著第二方向切齊；以及

多個第二熔絲分支沿著第一方向延伸并連接該多個熔絲本體的另一邊，其中該多個第二熔絲分支分別沿著第一方向包含不同長度，該多個第二熔絲分支沿著第二方向包含不同寬度，該多個熔絲本體在上視角度下沿著第二方向延伸的寬度大于該多個第二熔絲分支的寬度，且

第一方向為該多個第一熔絲分支、該多個第二熔絲分支以及該多個熔絲本體的延伸方向。

8.如權利要求7所述半導體元件，其中該多個第一熔絲分支包含單一摻雜區。

9.如權利要求7所述的半導體元件，其中該多個第二熔絲分支包含多個彼此不接觸的摻雜區。

10.如權利要求7所述的半導體元件，其中該多個熔絲本體包含多個導電層。

11.如權利要求10所述的半導體元件，其中該多個導電層包含銅。

12.如權利要求7所述的半導體元件，其中該多個第二熔絲分支之間不相互接觸。