[發(fā)明專利]一種促進(jìn)低噪聲放大器的帶寬增強(qiáng)的電路及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610552154.0
• 申請(qǐng)日: 2016-07-14
• 公開（公告）號(hào): CN107294502B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛泉;秦培;岑鑒文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 香港城市大學(xué)
• 主分類號(hào): H03F1/48
• 分類號(hào): H03F1/48;H03F1/26;H03F3/193;H03F3/20;H03G3/30
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 郭曉宇

1.一種促進(jìn)低噪聲放大器的帶寬增強(qiáng)的電路，其特征在于，包括：

第一晶體管，所述第一晶體管包括：

第一柵極；

第一漏極；以及

第一源極；

第二晶體管，所述第二晶體管包括：

第二柵極；

第二漏極；以及

第二源極；

其中，所述第一晶體管和所述第二晶體管組成共源共柵拓?fù)洌凰龅谝粬艠O與第一電阻器連接，以由所述第一電阻器提供偏置電壓；所述第一柵極還通過第一電感器與輸入端口連接，所述第一源極與第二電感器連接，以實(shí)現(xiàn)電感負(fù)反饋共源極；

變壓器，其中，所述變壓器的一端與所述第二柵極連接，另一端通過第二電阻器與所述第二漏極連接；

電感器以及電容器，其中，所述電感器和所述電容器并聯(lián)連接形成電感電容對(duì)；所述電感電容對(duì)位于輸入節(jié)點(diǎn)處，用于實(shí)現(xiàn)寬帶輸入匹配。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述電感電容對(duì)被構(gòu)造作為在高低頻率下形成兩個(gè)諧振點(diǎn)的帶通濾波器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述第一晶體管是n型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述第二晶體管是n型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

5.一種促進(jìn)低噪聲放大器的帶寬增強(qiáng)的電路，其特征在于，包括：

第一電感器；

電容器，其中，所述第一電感器和所述電容器并聯(lián)，產(chǎn)生電感電容對(duì)；

第一晶體管，所述第一晶體管包括：

第一柵極；

第一漏極；以及

第一源極；

第二晶體管，所述第二晶體管包括：

第二柵極；

第二漏極；以及

第二源極；

其中，所述第一晶體管和所述第二晶體管組成共源共柵拓?fù)渲校灰约?/p>

變壓器，所述變壓器包括：

第二電感器，其中，所述第二電感器包括第一自感；

第三電感器，其中，所述第三電感器包括第二自感；

第四電感器，所述第四電感器位于所述電感電容對(duì)和所述第一晶體管之間；

第五電感器，其中，所述第五電感器連接到所述第一源極；以及

互感，所述互感包括所述第一自感和所述第二自感之間的耦合。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于，還包括：

第一電阻器，所述第一電阻器位于所述第四電感器和所述第一晶體管之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路，其特征在于，還包括：

電氣節(jié)點(diǎn)，其中，所述電氣節(jié)點(diǎn)包括：所述第一柵極、所述第四電感器、以及所述第一電阻器。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其特征在于，還包括：

第二電阻，其中，所述第二電阻將所述第二漏極連接到所述變壓器的所述第二電感器。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路，其特征在于，所述變壓器嵌入在所述第二晶體管的所述第二柵極和所述第二晶體管的所述第二漏極端子之間。

10.一種促進(jìn)低噪聲放大器的增益帶寬增強(qiáng)的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

形成第一晶體管，所述第一晶體管包括：第一柵極、第一源極、以及第一漏極；

形成第二晶體管，所述第二晶體管包括：第二柵極、第二源極、以及第二漏極，使所述第一晶體管和所述第二晶體管布置在共源共柵拓?fù)渲校?/p>

在所述第二柵極和所述第二漏極之間嵌入變壓器，其中，所述嵌入變壓器生成共軛極點(diǎn)對(duì)，以將增益降落起始點(diǎn)頻率增加到更高頻率，從而拓寬增益帶寬；以及

在輸入節(jié)點(diǎn)處分流作為帶通濾波器的并行的電感電容對(duì)，以在高低頻率下形成兩個(gè)諧振點(diǎn)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述嵌入所述變壓器的步驟還包括在頂部和次頂部金屬層上堆疊線圈。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法還包括如下步驟：

在所述變壓器和所述第一漏極端子之間形成電阻器。