[發(fā)明專利]包括沉積設(shè)備的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610550317.1
• 申請(qǐng)日: 2016-07-13
• 公開（公告）號(hào): CN106609363B
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金大淵;金熙哲;張顯秀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASM知識(shí)產(chǎn)權(quán)私人控股有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/455
• 分類號(hào): C23C16/455;C23C16/513
• 代理公司: 北京市中倫律師事務(wù)所 11410
• 代理人: 石寶忠

1.一種半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，包括：

氣體供應(yīng)裝置，其起到第一電極的作用并包括多個(gè)注入孔；

反應(yīng)器壁，其連接至所述氣體供應(yīng)裝置；以及

襯底容納裝置，其起到第二電極的作用，且所述襯底容納裝置和所述反應(yīng)器壁被配置成通過面密封而密封，

其中，從所述氣體供應(yīng)裝置向所述襯底容納裝置供應(yīng)的反應(yīng)氣通過所述氣體供應(yīng)裝置與所述反應(yīng)器壁之間的排氣路徑被排到外部，并且

所述第一電極包括設(shè)置在所述第一電極的鄰近反應(yīng)器壁的邊緣處的突出電極，

其中，所述第二電極與所述第一電極的中心區(qū)域之間的距離大于所述反應(yīng)器壁與所述第一電極的邊緣之間的距離，

其中，所述突出電極防止反應(yīng)空間的外圍區(qū)域的等離子體消失于所述反應(yīng)器壁，

其中，所述突出電極從所述氣體供應(yīng)裝置的低于所述多個(gè)注入孔的較低部分突出；并且

其中，所述突出電極是所述第一電極的一體式部件并且從所述第一電極的所述邊緣連續(xù)延伸以直接面向所述第二電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其中所述襯底容納裝置與所述氣體供應(yīng)裝置的中心區(qū)域之間的第一距離大于所述反應(yīng)器壁與所述氣體供應(yīng)裝置的所述邊緣之間的第二距離，并且

所述襯底容納裝置與所述氣體供應(yīng)裝置的所述突出電極之間的第三距離小于所述第二距離。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其中由所述第一電極和第二電極產(chǎn)生的等離子體由于所述等離子體在所述第一距離中的徑向性而向所述反應(yīng)器壁移動(dòng)，并且由于所述等離子體在所述第三距離中的線性度而向所述襯底容納裝置移動(dòng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其中所述等離子體的所述徑向性隨著所述等離子體的功率和所述反應(yīng)氣的流速中的一個(gè)或兩者的增加而增加。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其中所述突出電極具有預(yù)定的曲率半徑。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其中所述氣體供應(yīng)裝置從所述突出電極凹進(jìn)使得在所述氣體供應(yīng)裝置中界定凹入空間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，還包括所述氣體供應(yīng)裝置上方的出氣口，

其中所述反應(yīng)氣通過所述排氣路徑和所述出氣口排放到外部。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，還包括布置于所述氣體供應(yīng)裝置與所述出氣口之間的氣流控制裝置，

其中所述反應(yīng)氣通過所述排氣路徑、所述氣流控制裝置和所述出氣口被排放到外部。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其中所述氣流控制裝置包括板和從所述板突出的側(cè)壁，并且，

所述側(cè)壁包括從其貫穿形成的多個(gè)貫穿孔。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其中所述襯底容納裝置包括：位置與所述突出電極所處位置對(duì)應(yīng)的凹槽。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其中所述突出電極和所述凹槽具有相同的曲率半徑。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其中所述襯底容納裝置包括：

凹處區(qū)域，其用于容納襯底；和

接觸區(qū)域，其環(huán)繞所述凹處區(qū)域用于所述面密封。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其中所述凹處區(qū)域延伸至與所述突出電極所處位置對(duì)應(yīng)的位置。