[發(fā)明專利]FPGA上電復(fù)位過程的存儲單元讀寫檢測系統(tǒng)及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610549989.0 | 申請日: | 2016-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN106155857B | 公開(公告)日: | 2018-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 耿楊;徐玉婷;閆華 | 申請(專利權(quán))人: | 無錫中微億芯有限公司 |
| 主分類號: | G06F11/267 | 分類號: | G06F11/267;G11C11/417;H03K17/28 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人: | 朱小兵 |
| 地址: | 214000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 上電復(fù)位 讀寫 測試存儲單元 存儲單元讀寫 存儲單元 檢測系統(tǒng) 配置過程 右上角 右下角 中芯片 下角 芯片 檢測 | ||
【權(quán)利要求書】:
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分,VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于無錫中微億芯有限公司,未經(jīng)無錫中微億芯有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610549989.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種抗沖擊型通用門窗型材
- 下一篇:一種汽車用安全氣囊
- 一種虛擬技術(shù)下硬盤數(shù)據(jù)的保護(hù)方法和保護(hù)系統(tǒng)
- 相變存儲單元的讀寫驅(qū)動電路
- 信息處理方法及固態(tài)硬盤
- FPGA上電復(fù)位過程的存儲單元讀寫檢測系統(tǒng)及方法
- FFT處理器及運(yùn)算方法
- 磁性隨機(jī)存儲器及其讀寫方法
- 一種非易失性數(shù)據(jù)存儲結(jié)構(gòu)和存儲方法
- 突發(fā)數(shù)據(jù)讀寫方法、裝置、可讀存儲介質(zhì)及電子設(shè)備
- 一種SRAM存儲單元、存儲器及SRAM存儲單元的讀寫方法
- 基于數(shù)據(jù)流架構(gòu)的加速器、加速器的數(shù)據(jù)存取方法及設(shè)備





