[發明專利]反熔絲型非易失性存儲單元、其陣列及其操作方法有效
| 申請號： | 201610543591.6 | 申請日： | 2016-07-11 |
| 公開（公告）號： | CN106910733B | 公開（公告）日： | 2020-01-17 |
| 發明（設計）人： | 崔光一 | 申請（專利權）人： | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/525 | 分類號： | H01L23/525;G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 11363 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 王建國;許偉群 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 反熔絲型非易失性 存儲 單元 陣列 及其 操作方法 | ||
1.一種反熔絲型非易失性存儲單元，包括：
半導體層，具有第一導電類型；
結區和溝槽隔離層，結區具有第二導電類型，結區和溝槽隔離層設置在半導體層的上部內、通過溝道區彼此間隔開；
反熔絲絕緣圖案，設置在溝道區上；
柵電極，設置在反熔絲絕緣圖案上，所述柵電極包括摻雜有具有第二導電類型的雜質的多晶硅材料；
柵間隔件，設置在反熔絲絕緣圖案和柵電極的側壁上；
字線，與柵電極連接；以及
位線，與結區連接，
其中，當將第一偏置電壓和第二偏置電壓分別施加至字線和位線時，反熔絲絕緣圖案被擊穿，并且當反熔絲絕緣圖案被擊穿時，柵電極、半導體層和結區組成雙極結型晶體管。
2.根據權利要求1所述的反熔絲型非易失性存儲單元，其中，第一導電類型為P型，而第二導電類型為N型。
3.根據權利要求1所述的反熔絲型非易失性存儲單元，其中，柵電極在水平方向上以與溝道區的表面相鄰的柵間隔件的下部寬度而與結區間隔開。
4.根據權利要求3所述的反熔絲型非易失性存儲單元，其中，柵電極延伸至溝槽隔離層上。
5.根據權利要求3所述的反熔絲型非易失性存儲單元，其中，結區與設置在與結區相鄰的柵電極的側壁上的柵間隔件的外側壁對齊。
6.根據權利要求1所述的反熔絲型非易失性存儲單元，還包括設置在結區上的金屬硅化物層。
7.根據權利要求1所述的反熔絲型非易失性存儲單元，
其中，施加至字線的第一偏置電壓高于用于在溝道區內形成反型層的閾值電壓和用于擊穿反熔絲絕緣圖案的擊穿電壓，以及
其中，施加至位線的第二偏置電壓為接地電壓。
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