[發明專利]透明導電薄膜、光電器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201610542566.6
• 申請日: 2016-07-11
• 公開（公告）號: CN107610802B
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發明（設計）人: 方小紅;徐一麟;王聰;尤瑩;陳小源;萬吉祥
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海高等研究院
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;H01B1/02;H01B1/06;H01B13/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種透明導電薄膜，其特征在于，所述透明導電薄膜包括：

目標結構；

銀納米線薄膜層，位于所述目標結構表面，所述銀納米線薄膜層為表面經過熱處理及親水處理的銀納米線薄膜層；

透明導電聚合物填充層，填充于所述銀納米線薄膜層內部的空隙，且覆蓋所述銀納米線薄膜層。

2.根據權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征在于：所述目標結構為目標襯底或具有功能器件的半導體結構。

3.根據權利要求2所述的透明導電薄膜，其特征在于：所述目標襯底為石英玻璃、玻璃、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚氯乙烯、聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯。

4.根據權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征在于：所述銀納米線薄膜層包括多個接觸連接的銀納米線。

5.根據權利要求4所述的透明導電薄膜，其特征在于：所述銀納米線薄膜層中的所述銀納米線的長度為10μm～200μm，所述銀納米線的直徑為20nm～100nm。

6.根據權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征在于：所述透明導電聚合物填充層的材料包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸或其衍生物中的一種。

7.根據權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征在于：所述透明導電薄膜還包括石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜位于所述透明導電聚合物填充層表面。

8.一種透明導電薄膜的制作方法，其特征在于，所述透明導電薄膜的制作方法包括以下步驟：

1)提供一目標結構；

2)在所述目標結構上形成銀納米線薄膜層；

3)在步驟2)得到的結構表面形成透明導電聚合物填充層，所述透明導電聚合物填充層填充于所述銀納米線薄膜層內部的空隙，且覆蓋所述銀納米線薄膜層。

9.根據權利要求8所述的透明導電薄膜的制作方法，其特征在于：在步驟1)中，所述目標結構為目標襯底或具有功能器件的半導體結構。

10.根據權利要求9所述的透明導電薄膜的制作方法，其特征在于：所述目標襯底為石英玻璃、玻璃、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚氯乙烯、聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯。

11.根據權利要求8所述的透明導電薄膜的制作方法，其特征在于：在步驟2)中，在所述目標結構上形成銀納米線薄膜層包括以下步驟：

2-1)提供銀納米線及溶劑，將所述銀納米線置于所述溶劑中得到銀納米線分散液；

2-2)采用浸漬提拉工藝、旋涂工藝、刮涂工藝、噴涂工藝、濕涂工藝、絲網印刷工藝、滾輪涂布工藝或板式涂布工藝在所述目標結構上制備包括多個接觸連接的銀納米線的所述銀納米線薄膜層。

12.根據權利要求11所述的透明導電薄膜的制作方法，其特征在于：所述溶劑為乙醇、異丙醇或去離子水，所述銀納米線分散液的濃度為1mg/ml～20mg/ml。

13.根據權利要求8所述的透明導電薄膜的制作方法，其特征在于：在步驟2)中，還包括對所述銀納米線薄膜層進行熱處理的步驟。

14.根據權利要求13所述的透明導電薄膜的制作方法，其特征在于：對所述銀納米線薄膜層進行熱處理的溫度為100℃～200℃，對所述銀納米線薄膜層進行熱處理的時間為5分鐘～10分鐘。

15.根據權利要求8所述的透明導電薄膜的制作方法，其特征在于：在步驟2)中，還包括對所述銀納米線薄膜層的表面進行親水處理的步驟。

16.根據權利要求15所述的透明導電薄膜的制作方法，其特征在于：采用二氧化鈦溶膠對所述銀納米線薄膜層的表面進行親水處理。

17.根據權利要求16所述的透明導電薄膜的制作方法，其特征在于：所述二氧化鈦溶膠的分散介質為乙醇、異丙醇或去離子水；所述二氧化鈦溶膠的濃度為0.01mol/L～0.1mol/L。