[發(fā)明專利]一種用于金剛線多晶硅片的噴砂裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610542253.0
• 申請日: 2016-07-11
• 公開（公告）號: CN106003441B
• 公開（公告）日: 2017-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李名揚(yáng);王猛;韓震峰;雷深皓;華永云;俞忠達(dá);陳永勝
• 申請（專利權(quán)）人: 北京創(chuàng)世捷能機(jī)器人有限公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;H01L21/304;B24C3/02;B24C3/00;B28D5/00;B28D5/04
• 代理公司: 北京君恒知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11466
• 代理人: 張效榮,林潮

1.一種用于金剛線多晶硅片的噴砂裝置，其特征在于包括：支架系統(tǒng)、定位系統(tǒng)、傳動系統(tǒng)、噴砂系統(tǒng)和砂漿系統(tǒng)；其中：

定位系統(tǒng)設(shè)置在傳動系統(tǒng)上，包括至少一個真空載臺、至少一個真空源和至少一個真空管；真空載臺的上端面設(shè)置有通孔，真空載臺的上端面用于承載金剛線多晶硅片；真空載臺通過真空管可拆卸地與真空源連通；

傳動系統(tǒng)設(shè)置在支架系統(tǒng)上，用于驅(qū)動真空載臺進(jìn)出支架系統(tǒng)；

傳動系統(tǒng)包括：傳動軌道、驅(qū)動單元和傳動鏈；其中，

傳動軌道可拆卸地設(shè)置在支架系統(tǒng)上，用于承載真空載臺、并限定真空載臺進(jìn)出支架系統(tǒng)的軌跡；

傳動鏈與驅(qū)動單元連接，其行進(jìn)方向與傳動軌道平行，傳動鏈上設(shè)置有限位齒；傳動鏈運(yùn)動過程中限位齒驅(qū)動真空載臺沿著傳動軌道的方向進(jìn)出支架系統(tǒng)；

噴砂系統(tǒng)設(shè)置在支架系統(tǒng)內(nèi)、并與砂漿系統(tǒng)連接，用于將砂漿系統(tǒng)中的磨液噴涂到金剛線多晶硅片的表面；

噴砂系統(tǒng)的噴槍能夠沿著垂直于真空載臺運(yùn)動的方向往復(fù)運(yùn)動。

2.如權(quán)利要求1所述的噴砂裝置，其特征在于，傳動軌道上均勻間隔地設(shè)置有垂直于所述傳動軌道的滾動體。

3.如權(quán)利要求1所述的噴砂裝置，其特征在于，傳動系統(tǒng)進(jìn)一步包括：推送單元和傳感器；

推送單元設(shè)置在傳動軌道上，用于承載待處理的真空載臺；

傳感器設(shè)置在傳動軌道的進(jìn)入端；

當(dāng)傳感器檢測到限位齒時，推送單元將待處理的真空載臺推送到傳動軌道的進(jìn)入端，利用該限位齒驅(qū)動真空載臺沿著傳動軌道的方向進(jìn)出支架系統(tǒng)。

4.如權(quán)利要求1所述的噴砂裝置，其特征在于，真空載臺上端面的通孔的數(shù)量為一個、兩個或更多個；當(dāng)真空載臺上端面設(shè)置有至少兩個通孔時，所述至少兩個通孔均勻分布。

5.如權(quán)利要求1所述的噴砂裝置，其特征在于，通孔的橫截面為由弧線和/或線段組成的封閉圖形。

6.如權(quán)利要求1所述的噴砂裝置，其特征在于，每個真空載臺包括至少一個承載區(qū)，每個承載區(qū)承載一個金剛線多晶硅片；和/或與每個真空源對應(yīng)的真空載臺的數(shù)量至少為一個。

7.如權(quán)利要求1所述的噴砂裝置，其特征在于，噴砂裝置的靶距滿足如下關(guān)系：

式中，S為加工面積，單位為mm²；R為噴槍出液口的半徑，單位為mm；μ為靶距變換系數(shù)，單位為1/mm，μ的取值為0-50/mm；L為靶距，單位為mm；β為噴槍出液口散射角度，單位為rad；V_S為橫向基礎(chǔ)加工速率，單位為mm²/s； t為加工時間，單位為s。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的噴砂裝置在對于金剛線多晶硅片進(jìn)行噴砂中的應(yīng)用。