[發明專利]一種高循環次數的形狀記憶合金及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201610538496.7
• 申請日: 2016-07-08
• 公開（公告）號: CN106048304B
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發明（設計）人: 楊衛國;朱浩
• 申請（專利權）人: 江蘇科技大學
• 主分類號: C22C14/00
• 分類號: C22C14/00;C22C30/02;C23C14/35;C23C14/14;C23C14/58
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙)32204
• 代理人: 王艷

1.一種高循環次數的形狀記憶合金，其特征在于，該合金由鈦、鎳、銅元素構成，所述高循環次數的形狀記憶合金按原子百分比包括如下組分：鈦原子百分比含量為50-60%、鎳的原子百分比含量為30-38%；銅的原子百分比含量為10-14%，所述高循環次數的形狀記憶合金的厚度為2-50微米，所述高循環次數的形狀記憶合金的顯微結構中包含Ti₂Cu與Ti₂Ni相；所述高循環次數的形狀記憶合金中的Ti₂Cu與Ti₂Ni相的尺寸小于500納米，所述的高循環次數的形狀記憶合金的制備方法，包括以下步驟：

1）按照上述的合金材料制備靶材；

2）采用磁控濺射制備薄膜狀的形狀記憶合金，抽真空至10^-3Pa以上，充入氬氣，然后再抽真空至10^-3Pa，調整工作電壓為500V，濺射占空比60-70%，開始進行濺射沉積，控制厚度為2-50微米得到薄膜狀的形狀記憶合金；

3）對步驟2）得到的薄膜狀的形狀記憶合金進行退火熱處理得到高循環次數的形狀記憶合金。

2.權利要求1所述的高循環次數的形狀記憶合金的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）按照上述的合金材料制備靶材；

2）采用磁控濺射制備薄膜狀的形狀記憶合金，抽真空至10^-3Pa以上，充入氬氣，然后再抽真空至10^-3Pa，調整工作電壓為500V，濺射占空比60-70%，開始進行濺射沉積，控制厚度為2-50微米得到薄膜狀的形狀記憶合金；

3）對步驟2）得到的薄膜狀的形狀記憶合金進行退火熱處理得到高循環次數的形狀記憶合金。

3.根據權利要求2所述的高循環次數的形狀記憶合金的制備方法，其特征在于，所述退火熱處理溫度為650-720攝氏度。

4.權利要求1所述的高循環次數的形狀記憶合金在工業控制、醫療器械方面的應用。