[發明專利]一種形成氧化層和外延層的方法

在審

• 申請號: 201610537121.9
• 申請日: 2016-07-08
• 公開（公告）號: CN107591314A
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發明（設計）人: 三重野文健
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙)31219
• 代理人: 余明偉

1.一種形成氧化層的方法，其特征在于，包括以下步驟：

在腔室中放入襯底；

在所述腔室中引入氧源氣體，并通過紫外線照射，使所述襯底的表面氧化形成氧化層。

2.根據權利要求1所述的形成氧化層的方法，其特征在于：形成所述氧化層時，控制所述腔室內的溫度為700-800℃。

3.根據權利要求1所述的形成氧化層的方法，其特征在于：所述氧源氣體為O₂、O₃、N₂O、NO中的一種或多種。

4.根據權利要求1所述的形成氧化層的方法，其特征在于：形成所述氧化層時，所述氧源氣體的通入時間為0.5-3min，所述氧源氣體的流量為50-500sccm，所述腔體內壓強為50-600Torr。

5.根據權利要求1所述的形成氧化層的方法，其特征在于：紫外線照射時，采用的紫外線波長為400-10nm，輻照功率為30-200W/cm²，輻照時間為1msec-3min。

6.一種形成氧化層和外延層的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

在腔室中放入襯底；

在所述腔室中引入氧源氣體，并通過紫外線照射，使所述襯底的表面氧化形成犧牲氧化層；

停止引入所述氧源氣體，并在所述腔室中引入氫源氣體對形成有所述犧牲氧化層的襯底進行表面處理，使所述犧牲氧化層與所述氫源氣體反應并生成揮發物，得到表面處理后的襯底；

繼續在所述腔室中進行外延生長，在表面處理后的襯底上形成外延層。

7.根據權利要求6所述的形成氧化層和外延層的方法，其特征在于：形成所述犧牲氧化層時，控制所述腔室內的溫度為700-800℃。

8.根據權利要求6所述的形成氧化層和外延層的方法，其特征在于：形成所述犧牲氧化層時，所述氧源氣體為O₂、O₃、N₂O、NO中的一種或多種。

9.根據權利要求6所述的形成氧化層和外延層的方法，其特征在于：形成所述犧牲氧化層時，所述氧源氣體的通入時間為0.5-3min，所述氧源氣體的流量為50-500sccm，所述腔體內壓強為50-600Torr。

10.根據權利要求6所述的形成氧化層和外延層的方法，其特征在于：形成所述犧牲氧化層時，采用的紫外線波長為400-10nm，輻照功率為30-200W/cm²，輻照時間為1msec-3min。

11.根據權利要求6所述的形成氧化層和外延層的方法，其特征在于：引入氫源氣體對形成有所述犧牲氧化層的襯底進行表面處理時，控制所述腔室內的溫度為700-800℃。

12.根據權利要求6所述的形成氧化層和外延層的方法，其特征在于：引入氫源氣體對形成有所述犧牲氧化層的襯底進行表面處理時，在所述腔室內進行紫外線照射。

13.根據權利要求12所述的形成氧化層和外延層的方法，其特征在于：引入氫源氣體對形成有所述犧牲氧化層的襯底進行表面處理時，紫外線照射采用的紫外線波長為400-10nm，輻照功率為30-200W/cm²，輻照時間為1msec-3min。

14.根據權利要求6所述的形成氧化層和外延層的方法，其特征在于：所述氫源氣體為H₂氣、HF與H₂的混合氣體、或者HCl與H₂的混合氣體。

15.根據權利要求6所述的形成氧化層和外延層的方法，其特征在于：引入氫源氣體對形成有所述犧牲氧化層的襯底進行表面處理時，所述氫源氣體的通入時間為0.5-3min，所述腔體內壓強為50-600Torr。