[發明專利]用于處理基板的設備在審
| 申請號: | 201610533071.7 | 申請日: | 2016-07-07 |
| 公開(公告)號: | CN106992129A | 公開(公告)日: | 2017-07-28 |
| 發明(設計)人: | 高永旭 | 申請(專利權)人: | 威海機械系統顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 董敏,王艷江 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 設備 | ||
1.一種用于處理基板的設備,所述設備包括:
裝載室,所述裝載室用于裝載基板;
至少一個加工室,所述至少一個加工室連接至所述裝載室的第二側,并且對沿從所述至少一個加工室的第一側至所述至少一個加工室的第二側的方向傳遞的所述基板應用至少一種加工;
提升室,所述提升室連接至所述加工室的所述第二側并且接收經加工的基板并且沿向上的方向傳遞所述經加工的基板;
高速傳遞室,所述高速傳遞室設置在所述加工室的上方,并且沿所述高速傳遞室的第二側至所述高速傳遞室的第一側的方向傳遞從所述提升室接收的所述基板;以及
卸載室,所述卸載室設置在所述裝載室的上方,并且卸載從所述高速傳遞室接收的所述基板;以及
傳遞單元,所述傳遞單元設置在所述裝載室、所述加工室、所述提升室、所述高速傳遞室以及所述卸載室的內部并且傳遞所述基板,
其中,設置在所述加工室的內部的所述傳遞單元設置為傾斜的,并且設置在所述高速傳遞室和所述卸載室的內部的所述傳遞單元設置為水平的。
2.根據權利要求1所述的設備,其中,所述加工室包括:
大氣壓等離子(AP)加工室,所述大氣壓等離子加工室的第一側連接至所述裝載室的所述第二側,并且所述大氣壓等離子加工室對正在傳遞的基板的表面應用等離子處理加工;
清潔室,所述清潔室連接至所述AP加工室的第二側,并且使用至少一個清潔單元對傳遞的基板應用清潔加工;以及
干燥室,所述干燥室連接至所述清潔室的第二側,并且使用氣刀對通過所述清潔加工而被清潔的所傳遞的基板應用干燥加工。
3.根據權利要求2所述的設備,其中,所述基板同時經受所述等 離子處理加工以及基于所述至少一個清潔單元的所述清潔加工兩者。
4.根據權利要求1所述的設備,其中,所述裝載室包括位于所述裝載室中的基板托盤和第一傾斜單元,
所述基板托盤通過支承銷支承裝載的基板,并且使支承的所述基板向下移動以安置于在所述裝載室的內部保持水平的所述傳遞單元上;并且
所述第一傾斜單元使所述基板所安置在其上方的所述傳遞單元以與設置在所述加工室的內部的所述傳遞單元的傾斜角相同的傾斜角傾斜。
5.根據權利要求1所述的設備,其中,所述提升室包括位于所述提升室中的升降單元和第二傾斜單元,
所述升降單元使設置在所述提升室的內部的所述傳遞單元上下移動;并且
所述第二傾斜單元在從所述加工室接收所述基板時使設置在所述提升室的內部的所述傳遞單元的傾斜角保持與設置在所述加工室的內部的所述傳遞單元的傾斜角相同,在由所述升降單元進行提升時改變設置在所述提升室的內部的所述傳遞單元的所述傾斜角,并且在到達所述高速傳遞室的所述第二側時使設置在所述提升室的內部的所述傳遞單元水平。
6.根據權利要求1所述的設備,其中,設置在所述卸載室的內部的所述傳遞單元包括一對支承板、多個軸以及輥子,所述一對支承板設置成在所述卸載室的相對的側部處面向彼此,所述多個軸具有以可旋轉的方式安裝至所述支承板的相反的端部并且彼此間隔開,并且所述多個軸具有設置在所述多個軸之間并且彼此間隔開的上/下軸,所述輥子在彼此間隔開的同時聯接至所述軸和所述上/下軸,并且
所述上/下軸通過軸豎向驅動器而上下移動,并且所述支承板形成有開口,所述上/下軸的相反的兩端中的一端通過所述開口在橫向 方向上暴露。
7.根據權利要求2所述的設備,所述設備還包括設置成使所述清潔室與所述干燥室彼此分離的分隔部,并且所述分隔部包括通孔,由所述傳遞單元能夠將所述基板從所述清潔室穿過所述通孔傳遞至所述干燥室,
其中,所述氣刀設置在所述干燥室的內部,并與所述分隔部相鄰,且設置成分別與由所述傳遞單元傳遞的所述基板的頂部和底部相對應,并且所述氣刀噴射空氣,使得空氣能夠經由所述通孔朝向所述清潔室流動。
8.根據權利要求7所述的設備,其中,所述氣刀具有類似于的截面形狀,所述氣刀的第一側包括豎向表面,并且所述氣刀的第二側包括豎向表面和傾斜表面,并且
所述氣刀的所述第一側與所述分隔部相鄰且平行,并且空氣經由所述第一側的下端而被噴射。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





