[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610532131.3 | 申請日: | 2016-07-07 |
| 公開(公告)號: | CN106654023B | 公開(公告)日: | 2018-09-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 崔喜棟;金承炫;其他發(fā)明人請求不公開姓名 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡勝有;董文國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 發(fā)光 顯示裝置 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置,包括:
彼此面對的反射陽極和透明陰極;
在所述反射陽極與所述透明陰極之間的包括第一發(fā)光層的第一堆疊體;
在所述第一堆疊體與所述透明陰極之間的包括第二發(fā)光層的第二堆疊體;
在所述第二堆疊體與所述透明陰極之間的包括第三發(fā)光層的第三堆疊體;
在所述第一堆疊體與所述第二堆疊體之間的第一電荷生成層;以及
在所述第二堆疊體與所述第三堆疊體之間的第二電荷生成層,
其中所述第一電荷生成層的厚度大于所述第二電荷生成層的厚度,
所述第一電荷生成層包括第一N型電荷生成層和第一P型電荷生成層,以及所述第一N型電荷生成層的厚度大于所述第一P型電荷生成層的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中所述第一電荷生成層的厚度是所述第二電荷生成層的厚度的1.4倍至1.6倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中所述第一N型電荷生成層的厚度是所述第一P型電荷生成層的厚度的1.5倍至1.7倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中所述第一N型電荷生成層接觸所述第一堆疊體,以及所述第一P型電荷生成層接觸所述第二堆疊體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中所述第二電荷生成層包括第二N型電荷生成層和第二P型電荷生成層,以及所述第二N型電荷生成層的厚度大于所述第二P型電荷生成層的厚度。
6.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置,包括:
設(shè)置在陽極與陰極之間的多個(gè)堆疊體;以及
用于向所述多個(gè)堆疊體提供電荷的多個(gè)電荷生成層,
其中設(shè)置為相對地靠近所述陽極的電荷生成層的厚度大于設(shè)置為相對地靠近所述陰極的電荷生成層的厚度,
設(shè)置為相對地靠近所述陽極的所述電荷生成層包括N型電荷生成層和P型電荷生成層,以及所述N型電荷生成層的厚度大于所述P型電荷生成層的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中設(shè)置為相對地靠近所述陽極的所述電荷生成層的厚度是設(shè)置為相對地靠近所述陰極的所述電荷生成層的厚度的1.4倍至1.6倍。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中所述N型電荷生成層設(shè)置為相對地靠近所述陽極,以及所述P型電荷生成層設(shè)置為相對地靠近所述陰極。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中從所述多個(gè)堆疊體發(fā)射的光混合在一起,并且所混合的光穿過所述陰極以發(fā)射白色光。
10.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置,包括:
設(shè)置在反射陽極與透明陰極之間的多個(gè)堆疊體;以及
用于向所述多個(gè)堆疊體提供電荷的多個(gè)電荷生成層,
其中在所述多個(gè)電荷生成層之中,接觸具有最少電子供給的堆疊體的電荷生成層具有最大厚度并且包括N型電荷生成層和P型電荷生成層,其中所述P型電荷生成層的厚度小于所述N型電荷生成層的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中設(shè)置為最靠近所述反射陽極的電荷生成層也是接觸具有最少電子供給的堆疊體的所述電荷生成層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其中所述N型電荷生成層設(shè)置為相對地靠近所述反射陽極,以及所述P型電荷生成層設(shè)置為相對地靠近所述透明陰極。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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