[發明專利]一種低功耗4H-SiC電壓控制型功率半導體器件及其制備方法有效
| 申請號： | 201610525827.3 | 申請日： | 2016-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN105957898B | 公開（公告）日： | 2019-09-24 |
| 發明（設計）人： | 周郁明;劉航志;王兵 | 申請（專利權）人： | 安徽工業大學 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331;H01L21/225;H01L29/06 |
| 代理公司： | 安徽知問律師事務所 34134 | 代理人： | 平靜 |
| 地址： | 243000 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 功耗 sic 電壓 控制 功率 半導體器件 及其 制備 方法 | ||
【說明書】：
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