[發明專利]氧化鎳薄膜及其制備方法、功能材料、薄膜結構的制作方法及電致發光器件

有效

• 申請號: 201610525274.1
• 申請日: 2016-07-01
• 公開（公告）號: CN107565033B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 金一政;梁驍勇;陳超
• 申請（專利權）人: 浙江大學;納晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 趙囡囡;梁文惠

1.一種薄膜結構的制備方法，所述薄膜結構包括依次疊置的空穴注入層、第一導電層和基板，所述第一導電層設置在所述基板上，其特征在于，所述制備方法包括：

以設置有所述第一導電層的所述基板為載體；

將氧化鎳前驅體溶液設置于載體上，且將氧化鎳前驅體溶液設置在所述第一導電層上，并對所述氧化鎳前驅體溶液進行第一次退火，形成氧化鎳膜層；

將所述氧化鎳膜層經過紫外-臭氧處理后，在氧化鎳膜層表面設置有機分子；以及

在惰性氣體氣氛中對設置有所述有機分子的氧化鎳膜層進行第二次退火處理，得到氧化鎳薄膜，所述氧化鎳薄膜包括：

氧化鎳膜層；具有吸電子基團的有機分子，所述有機分子連接設置在所述氧化鎳膜層表面上，所述有機分子為三氟甲基苯甲酸，或者三氟甲基苯乙酸，或者三氟丁酸，所述有機分子的COOH以COO-與所述氧化鎳膜層連接，

所述氧化鎳薄膜為所述空穴注入層，所述薄膜結構為量子點電致發光器件。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氧化鎳前驅體溶液為包括水溶性鎳鹽與甘氨酸的水溶液。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述水溶性鎳鹽為硝酸鎳，其中所述硝酸鎳與甘氨酸的摩爾比為1：10~1：1。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一次退火處理的溫度為130~300℃，處理時間為10~90 min。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述紫外-臭氧處理的時間為5~60min，紫外燈照射功率為50~250 W。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二次退火處理的溫度為80~180℃，時間為1~60min。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用涂覆、打印或印刷的方式將所述氧化鎳前驅體溶液設置于所述載體上。

8.一種電致發光器件，包括依次疊置的基板、第一導電層、空穴注入層、發光層和第二導電層，其特征在于，所述空穴注入層為氧化鎳薄膜，所述氧化鎳薄膜的氧化鎳膜層接觸設置在所述第一導電層上，具有吸電子基團的有機分子設置在所述氧化鎳膜層的遠離所述第一導電層的表面上，所述氧化鎳薄膜包括：氧化鎳膜層；具有吸電子基團的有機分子，所述有機分子連接設置在所述氧化鎳膜層表面上，所述有機分子為三氟甲基苯甲酸，或者三氟甲基苯乙酸，或者三氟丁酸，所述有機分子的COOH以COO-與所述氧化鎳膜層連接，所述電致發光器件為量子點電致發光器件。