[發明專利]一種存儲器單元陣列結構和電子裝置

有效

• 申請號: 201610518865.6
• 申請日: 2016-07-04
• 公開（公告）號: CN107579087B
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 仇圣棻;曹恒
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種存儲器單元陣列結構，其特征在于，包括：

半導體襯底；

若干存儲器單元，設置于所述半導體襯底上成m行n列排列，m、n為正整數，每個所述存儲器單元包括第一二極管、第二二極管和隨機存取存儲器組件；

n列第一阱區和n列第二阱區，每個所述第一阱區和第二阱區均沿所述列的方向延伸，且所述第一阱區和所述第二阱區沿所述行的方向交替間隔排布于所述半導體襯底中，所述第一阱區具有第一導電類型，所述第二阱區具有第二導電類型；

第一摻雜區，設置于所述第一阱區中，具有所述第二導電類型，其中，在每個所述第一阱區中沿所述列的方向間隔排布m個所述第一摻雜區，每個所述第一摻雜區和其下方的所述第一阱區構成一所述第一二極管；

第二摻雜區，設置于所述第二阱區中，具有所述第一導電類型，其中，在每個所述第二阱區中沿所述列的方向間隔排布m個所述第二摻雜區，每個所述第二摻雜區和其下方的所述第二阱區構成一所述第二二極管；

第三摻雜區，具有與所述第一阱區相同的導電類型，在每個所述第一阱區中設置至少一所述第三摻雜區，且所述第三摻雜區與其相鄰的所述第一摻雜區之間彼此隔離；

第四摻雜區，具有與所述第二阱區相同的導電類型，在每個所述第二阱區中設置至少一所述第四摻雜區，且所述第四摻雜區與其相鄰的所述第二摻雜區之間彼此隔離；

若干隨機存取存儲器組件，設置于所述半導體襯底上，每個所述隨機存取存儲器組件的底部電連接其所在存儲器單元中的所述第一摻雜區和所述第二摻雜區；

m行字線，設置于所述隨機存取存儲器組件的上方，且相鄰所述字線之間彼此間隔平行，位于同一行的所述存儲器單元的所述隨機存取存儲器組件的頂部電連接同一所述字線；

n列復位線，設置于每列所述第三摻雜區的上方，每列所述復位線彼此間相互隔離，每列所述復位線電連接其下方的所述第三摻雜區；

n列位線，設置于每列所述第四摻雜區的上方，每列所述位線彼此間相互隔離，每列所述位線電連接其下方的所述第四摻雜區。

2.如權利要求1所述的存儲器單元陣列結構，其特征在于，設置于每個所述第一阱區中的所述第三摻雜區位于所述第一阱區的一端。

3.如權利要求2所述的存儲器單元陣列結構，其特征在于，設置于每個所述第二阱區中的所述第四摻雜區位于所述第二阱區的一端。

4.如權利要求3所述的存儲器單元陣列結構，其特征在于，所述第三摻雜區和所述第四摻雜區沿所述行的方向交替排列。

5.如權利要求1所述的存儲器單元陣列結構，其特征在于，在相鄰的所述第一阱區和所述第二阱區之間設置有深溝槽隔離結構，以隔離所述第一阱區和所述第二阱區，所述深溝槽隔離結構沿所述列的方向延伸，所述深溝槽隔離結構位于所述半導體襯底中，且所述深溝槽隔離結構的底部位于所述第一阱區和第二阱區的底部的下方。

6.如權利要求1所述的存儲器單元陣列結構，其特征在于，在位于同一所述第一阱區中的相鄰的所述第一摻雜區之間、相鄰的所述第三摻雜區和所述第一摻雜區之間、位于同一所述第二阱區中的相鄰的所述第二摻雜區之間、相鄰的所述第四摻雜區和所述第二摻雜區之間均設置淺溝槽隔離結構，其中，所述淺溝槽隔離結構的底面高于所述第一阱區和所述第二阱區的底面。

7.如權利要求1所述的存儲器單元陣列結構，其特征在于，在所述半導體襯底中還設置有隔離阱區，所述隔離阱區具有所述第二導電類型，所述隔離阱區位于所述第一阱區和所述第二阱區的下方。

8.如權利要求7所述的存儲器單元陣列結構，其特征在于，所述隔離阱區的頂部貼近所述第一阱區和所述第二阱區的底部。

9.如權利要求1所述的存儲器單元陣列結構，其特征在于，每列所述復位線沿所述列的方向向所述存儲器單元陣列結構的外側邊緣延伸。

10.如權利要求1所述的存儲器單元陣列結構，其特征在于，每列所述位線沿所述列的方向向所述存儲器單元陣列結構的外側邊緣延伸。