[發明專利]一種具有低導通電阻特性的槽柵MOSFET器件在審
| 申請號： | 201610517752.4 | 申請日： | 2016-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN105957885A | 公開（公告）日： | 2016-09-21 |
| 發明（設計）人： | 李澤宏;陳文梅;李爽;曹曉峰;陳哲;包惠萍;任敏 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/43 | 分類號： | H01L29/43;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 通電 特性 mosfet 器件 | ||
【權利要求書】：
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