[發(fā)明專利]納秒固態(tài)激光調(diào)制系統(tǒng)及鍵合晶圓分離的方法在審

申請?zhí)枺?/td>	201610514349.6	申請日：	2016-06-30
公開（公告）號：	CN105977194A	公開（公告）日：	2016-09-28
發(fā)明（設(shè)計）人：	姜峰;林挺宇;李昭強(qiáng)	申請（專利權(quán)）人：	華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
主分類號：	H01L21/683	分類號：	H01L21/683;B23K26/50;B23K26/073;B23K26/08
代理公司：	無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104	代理人：	殷紅梅;劉海
地址：	214135 江蘇省無錫市新區(qū)***	國省代碼：	江蘇;32
權(quán)利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	固態(tài) 激光調(diào)制系統(tǒng) 鍵合晶圓分離方法
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專利分類

H 電學(xué)

H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造

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說明：

1、專利原文基于中國國家知識產(chǎn)權(quán)局專利說明書；

2、支持發(fā)明專利、實(shí)用新型專利、外觀設(shè)計專利（升級中）；

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