[發(fā)明專利]無機(jī)材料膜、光掩模坯料及光掩模的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610509880.4
• 申請日: 2016-07-01
• 公開（公告）號: CN106324978B
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 深谷創(chuàng)一;笹本纮平;中川秀夫
• 申請（專利權(quán)）人: 信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號: G03F1/32
• 分類號: G03F1/32;G03F1/54;G03F1/80
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 盛曼;金龍河

1.一種無機(jī)材料膜，其為通過濺射成膜的包含鉻系材料的光掩模坯料用的無機(jī)材料膜，其中，該無機(jī)材料膜包含具有導(dǎo)電性的遮光層，該遮光層含有0.1原子％以上且11.5原子％以下的錫和15原子％以下的氧，所述無機(jī)材料膜的算術(shù)平均粗糙度Ra為1.0nm以下。

2.如權(quán)利要求1所述的無機(jī)材料膜，其中，所述無機(jī)材料膜包含通過濺射成膜的包含鉻系材料的防反射層。

3.如權(quán)利要求2所述的無機(jī)材料膜，其中，所述防反射層含有錫。

4.如權(quán)利要求2或3所述的無機(jī)材料膜，其中，具有所述遮光層與所述防反射層的層疊結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的無機(jī)材料膜，其中，所述無機(jī)材料膜的電阻率為5000Ω/cm²以下。

6.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的無機(jī)材料膜，其中，所述遮光層中的氧濃度為3原子％以上。

7.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的無機(jī)材料膜，其中，所述鉻系材料為鉻金屬、鉻氧化物、鉻氮化物、鉻碳化物、鉻氮氧化物、鉻碳氧化物、鉻碳氮氧化物中的任意一種。

8.一種光掩模坯料，其中，具備權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的無機(jī)材料膜作為遮光性膜、硬掩模膜或蝕刻停止膜中的任意一種。

9.一種光掩模的制造方法，其中，具備如下工序：使用權(quán)利要求8所述的光掩模坯料，將所述無機(jī)材料膜通過氯系干蝕刻進(jìn)行圖案化。