[發(fā)明專利]一種用于氮化鋁單晶生長的鉭金屬件碳化方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610509503.0 | 申請日： | 2016-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN106087062A | 公開（公告）日： | 2016-11-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 程章勇 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京華進(jìn)創(chuàng)威電子有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/40 | 分類號： | C30B29/40;C30B23/00;C01B31/30 |
| 代理公司： | 北京中創(chuàng)陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11003 | 代理人： | 馬知非;沈耀沖 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 氮化 鋁單晶 生長 金屬件 碳化 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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