[發(fā)明專利]顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610506488.4
• 申請日: 2016-06-30
• 公開（公告）號: CN107564928B
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李冠鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開一種的顯示裝置，包括：基板，具有凹陷；發(fā)光二極管，位于凹陷中；以及薄膜晶體管，位于基板的表面上并電連接至發(fā)光二極管。薄膜晶體管與發(fā)光二極管位于基板的同一側(cè)上，或者位于基板的不同側(cè)上。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種顯示裝置，特別是涉及其發(fā)光二極管與薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

無機發(fā)光二極管(LED)依電極位置的不同，主要可分作倒裝式或垂直式。前者的陽極接點與陰極接點位于LED發(fā)光層的同一側(cè)，而后者的陽極接點與陰極接點位于LED發(fā)光層的相反側(cè)。在基板上形成LED的無機層堆疊后，進行光刻蝕刻與切割等制作工藝，形成多個獨立的LED芯片。然而現(xiàn)有的LED芯片的厚度高達5至10微米。若將LED芯片直接接合至TFT基板上，TFT基板的上表面與LED芯片的上表面之間的距離，可能在后續(xù)制作工藝造成施力不均而使元件破損甚至斷裂。或者，直接接合至TFT基板表面上的LED芯片，在發(fā)光時因為LED跟LED之間沒有阻隔而可能會互相混色而降低影像品質(zhì)。

綜上所述，目前亟需新的結(jié)構(gòu)整合LED與TFT，以改善制作工藝良率，或是可以降低混色的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明一實施例揭露的顯示裝置，包括：基板，具有凹陷；發(fā)光二極管，位于凹陷中；以及薄膜晶體管，位于基板的表面上并電連接至發(fā)光二極管。

附圖說明

圖1A至圖1H是一實施例中，顯示裝置的制作工藝剖視圖；

圖2是一實施例中，顯示裝置的剖視圖；

圖3A至圖3C是一實施例中，顯示裝置的制作工藝剖視圖；

圖4A至圖4B是一實施例中，顯示裝置的制作工藝剖視圖；

圖5A至圖5I是一實施例中，顯示裝置的制作工藝剖視圖；

圖6是一實施例中，顯示裝置的剖視圖；

圖7A至圖7H是一實施例中，顯示裝置的制作工藝剖視圖；

圖8是一實施例中，顯示裝置的剖視圖。

符號說明

11 基板

13a、13c 電極

13b 遮光層

13g、16 柵極

131 共同電極線

14 緩沖層

15 柵極絕緣層

15v、20v 通孔

17 半導(dǎo)體層

18 絕緣層

19d 漏極

19s 源極

20、31、34 保護層

21、27、27a、27b 導(dǎo)電層

22 光致抗蝕劑層

22o、41o 開口

23、37 穿孔

25 凹陷

29f 倒裝式LED

29v 垂直式LED

29o OLED

33 導(dǎo)電層

35 外部電路

39 接合墊

41 絕緣層