[發明專利]半導體裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201610500259.1 | 申請日: | 2016-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN107346744B | 公開(公告)日: | 2023-05-26 |
| 發明(設計)人: | 樸錦陽;樸俊書;顏吉和 | 申請(專利權)人: | 艾馬克科技公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/00;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京寰華知識產權代理有限公司 11408 | 代理人: | 林柳岑 |
| 地址: | 美國亞利桑那州85*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種電子裝置,其包含:
基板,其包含頂部基板側、底部基板側以及在所述頂部基板側與所述底部基板側之間的橫向基板側;
半導體晶粒,其包含頂部晶粒側、底部晶粒側以及在所述頂部晶粒側與所述底部晶粒側之間的橫向晶粒側,其中所述底部晶粒側耦合至所述頂部基板側;
第一導電互連結構,其在所述半導體晶粒與所述基板之間且將所述半導體晶粒電連接至所述基板;
黏接層,其包含頂部黏接層側、底部黏接層側以及在所述頂部黏接層側與所述底部黏接層側之間的橫向黏接層側,其中所述底部黏接層側黏接至所述頂部晶粒側;
上部半導體封裝體,其包含頂部上部封裝體側、底部上部封裝體側以及在所述頂部上部封裝體側與所述底部上部封裝體側之間的橫向上部封裝體側,其中所述底部上部封裝體側黏接至所述頂部黏接層側,其中所述上部半導體封裝體包括:
上部封裝基板;
上部封裝半導體晶粒,其耦接到所述上部封裝基板的頂側;以及
上部封裝囊封材料,其覆蓋所述上部封裝半導體晶粒的頂側;以及
基板對基板互連結構,其延伸在所述頂部基板側以及所述底部上部封裝體側之間,其中所述基板對基板互連結構包括焊料部分和無焊料金屬部分,其中所述無焊料金屬部分包括銅,并且其中所述無焊料金屬部分的至少一部分是位在所述半導體晶粒的所述頂部晶粒側和所述底部晶粒側之間并且在所述半導體晶粒的側向處;
第一囊封材料,其至少覆蓋所述頂部基板側及所述橫向上部封裝體側。
2.根據權利要求1所述的電子裝置,其中所述黏接層覆蓋整個所述頂部晶粒側。
3.根據權利要求2所述的電子裝置,其中所述第一囊封材料覆蓋所述橫向黏接層側并且覆蓋所述底部黏接層側的一部分。
4.根據權利要求3所述的電子裝置,其中由所述第一囊封材料覆蓋的所述底部黏接層側的所述部分包含圍繞所述頂部晶粒側的所述底部黏接層側的外圍環。
5.根據權利要求1所述的電子裝置,其包括底膠層于所述半導體晶粒和所述基板之間,并且其中所述底膠層的橫向側被所述第一囊封材料所覆蓋。
6.根據權利要求5所述的電子裝置,其中所述黏接層的厚度不到所述底膠層的厚度的一半。
7.根據權利要求1所述的電子裝置,其中所述上部封裝囊封材料包含頂表面,所述頂表面與所述第一囊封材料的頂表面共面。
8.根據權利要求7所述的電子裝置,其中所述第一囊封材料的所述頂表面以及所述上部封裝囊封材料的所述頂表面是所述電子裝置的頂表面。
9.根據權利要求1所述的電子裝置,其中所述基板對基板互連結構的所述無焊料金屬部分包含銅柱。
10.根據權利要求1所述的電子裝置,其中所述基板對基板互連結構的所述焊料部分是垂直的位在所述底部上部封裝體側與所述基板對基板互連結構的所述無焊料金屬部分的最上部表面之間。
11.根據權利要求1所述的電子裝置,其中所述基板對基板互連結構的所述焊料部分的至少一部分是位在所述半導體晶粒的所述頂部晶粒側和所述底部晶粒側之間并且在所述半導體晶粒的側向處。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





