[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610499154.9
• 申請日: 2016-06-29
• 公開（公告）號: CN106816536B
• 公開（公告）日: 2019-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓允德;李在萬;安昭姸;崔喜棟;樸正洙
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L27/32
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;董文國

1.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括：

第一發(fā)光部，其包括第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層；

在所述第一發(fā)光部上的第二發(fā)光部，所述第二發(fā)光部包括第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層和第二電子傳輸層；以及

在所述第一發(fā)光部與所述第二發(fā)光部之間的第一P型電荷生成層，

其中

所述第二空穴傳輸層和所述第一P型電荷生成層設(shè)置為彼此相鄰，以及

所述第二空穴傳輸層包含在所述第二空穴傳輸層中混合的第一材料和第二材料，所述第一材料的最高已占分子軌道(HOMO)能級的絕對值大于所述第一P型電荷生成層的最低未占分子軌道(LUMO)能級的絕對值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一材料的最高已占分子軌道(HOMO)能級的絕對值與所述第一P型電荷生成層的最低未占分子軌道(LUMO)能級的絕對值之差在0.1eV至0.3eV的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第二材料的空穴遷移率在1×10^-2cm²/Vs至1×10^-4cm²/Vs的范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一材料與所述第二材料的體積比為約5∶5。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一P型電荷生成層不包含摻雜劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一材料和所述第二材料通過共沉積來混合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，還包括：

在所述第二發(fā)光部上的第三發(fā)光部，所述第三發(fā)光部包括第三空穴傳輸層、第四空穴傳輸層、第三發(fā)光層和第三電子傳輸層；以及

在所述第二發(fā)光部與所述第三發(fā)光部之間的第二P型電荷生成層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第二P型電荷生成層不包含摻雜劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第三空穴傳輸層的最高已占分子軌道(HOMO)能級的絕對值和所述第四空穴傳輸層的最高已占分子軌道(HOMO)能級的絕對值各自大于所述第二P型電荷生成層的最低未占分子軌道(LUMO)能級的絕對值。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中

所述第三空穴傳輸層的最高已占分子軌道(HOMO)能級的絕對值與所述第二P型電荷生成層的最低未占分子軌道(LUMO)能級的絕對值之差在0.1eV至0.3eV的范圍內(nèi)，以及

所述第四空穴傳輸層的最高已占分子軌道(HOMO)能級的絕對值與所述第二P型電荷生成層的最低未占分子軌道(LUMO)能級的絕對值之差在0.1eV至0.3eV的范圍內(nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第四空穴傳輸層的三重態(tài)能級的絕對值在2.5eV至3.0eV的范圍內(nèi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第三空穴傳輸層的空穴遷移率高于所述第四空穴傳輸層的空穴遷移率。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第三空穴傳輸層設(shè)置為比所述第四空穴傳輸層更靠近所述第二P型電荷生成層。

14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第三空穴傳輸層的厚度與所述第四空穴傳輸層的厚度之比在7：3至8：2的范圍內(nèi)。