[發明專利]一種橋式單火線取電電路有效
| 申請號: | 201610499041.9 | 申請日: | 2016-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN106102231B | 公開(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發明(設計)人: | 張偉;朱俊崗;朱峰;朱俊嶺;余建美 | 申請(專利權)人: | 南京物聯傳感技術有限公司 |
| 主分類號: | H05B33/08 | 分類號: | H05B33/08 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 橋式單 火線 電路 | ||
技術領域
本發明涉及電源電路,特別針對于通態單火線取電技術,尤其涉及一種橋式單火線取電電路。
背景技術
在智能家居控制系統中,家電控制器(如燈光控制器)的供電方式需要零、火線的情況,新裝修的用戶通過布線可以解決這個問題,但是對于已經裝修好的用戶,只有一條火線到達控制器,面對這種用戶的時候將無法正常使用。大多數的用戶家里的墻面暗盒里只有火線。這就對智能開關的設計提出了要求,其必須在只有火線的電路中取出穩定的能量給控制系統供電。單火線開關通態取電方法不多,且存在取電電壓不穩,波動較大,取電電流不足,取電系統燒毀等問題,這主要是由于開關所加的負載不同,流過開關的電流也不同,不對取得的能量進行檢測,就會出現取電電壓波動的現象。另外,現在大量使用的LED燈,屬于容性負載,流過這類負載的電流波形并不是嚴格的正弦波,其波形在波峰和波谷會產生突變,因此在交流電的波峰波谷取電,則會出現很大的浪涌,這個浪涌會燒毀取電系統。
發明內容
本發明的目的在于克服現有技術的不足,提出了一種橋式單火線取電電路,使其可以從單根火線上取出穩定的電壓,嚴格設置了從火線上取電的時間,以保證不會出現取電系統被燒毀的風險。
為了解決上述的技術問題,本發明提供一下技術方案:一種橋式單火線取電電路,還包括儲能系統、檢測系統、驅動系統、及控制系統,所述橋式取電電路由第一二極管(D1)、第二二極管(D2)和第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)構成,當第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)處于斷開狀態時,第一二極管(D1)、第二二極管(D2)和第一MOS管(Q1)的體二極管(D3)、第二MOS管(Q2)的體二極管(D4)組成一個整流橋結構,所述儲能系統用于存儲取電電路取到的能量,同時將能量傳送給控制系統,所述檢測系統中電壓檢測部分開始檢測取到電壓VCC,將其和設定的判斷電壓比較后,將比較值轉換為信號發送給控制系統;所述控制系統收到信號后命令驅動系統導通第一MOS管(Q1)及第二MOS管(Q2),電流從第一MOS管(Q1)及第二MOS管(Q2)上流過,不進入儲能系統,所述驅動系統收到控制系統的命令后,給第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)發送導通信號。
較佳地,所述橋式取電電路開始工作,第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)處于斷開狀態,所述第一二極管(D1)、第二二極管(D2)、第一MOS管(Q1)的體二極管(D3)、第二MOS管(Q2)的體二極管(D4)組成的橋式取電電路對交流電進行整流,所述整流后的電送給儲能系統進行儲能。
較佳地,所述檢測系統檢測到VCC電壓值低于設置的取電電壓,電流檢測部分檢測到交流電過零的信號,控制系統得到電流過零的信號,命令驅動系統對第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)發出斷開信號。
較佳地,所述驅動系統收到控制系統發出的斷開第一MOS(Q1)、第二MOS關(Q2)信號后信號后,給第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)發送斷開信號,所述第一二極管(D1)、第二二極管(D2)、第一MOS管(Q1)的體二極管(D3)、第二MOS管(Q2)的體二極管(D4)組成橋式取電電路繼續取電。
較佳地,所述檢測系統一旦檢測VCC電壓值高于設置的上限電壓值,立即將VCC超過上限電壓信號發送給控制系統,控制系統立即命令驅動系統對第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)發出導通信號,使得電流從第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)流過,取電電路不取電,防止儲能系統過充。
較佳地,規定電流從LIVE端流向LOAD端時的方向為正,LIVE端相對于LOAD端電壓為高時為交流電的正半周,反之為負半周;則電流檢系統可以檢測到流過第一MOS管(Q1)及第二MOS管(Q2)的交流電的正負半周的電流過零點,且由于橋式結構的電氣特性,電流正負半周從第一MOS管(Q1)及第二MOS管(Q2)上流過的方向不同,則當電壓檢測部分檢測到VCC低于設置電壓時,電流正半周過零時關斷第一MOS管(Q1),逼迫電流從第一二極管(D1)流向儲能系統,電流負半周過零時關斷二MOS管(Q2),逼迫電流從第二二極管(D2)流向儲能系統,取電系統在此時取電,系統會更穩當。
所述驅動系統內含有驅動放大電路,用于在取電電壓較小時,將取電電壓放大至第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)要求的最佳驅動電壓值。
本發明的有益效果:
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