[發明專利]半導體裝置和用于形成半導體裝置的方法在審
| 申請號： | 201610497599.3 | 申請日： | 2016-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN106328709A | 公開（公告）日： | 2017-01-11 |
| 發明（設計）人： | J·鮑姆加特爾;C·格魯貝爾;A·豪格霍費爾;R·K·喬希;M·普埃爾茲;J·施泰因布倫納 | 申請（專利權）人： | 英飛凌科技奧地利有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 暫無信息 | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 用于 形成 方法 | ||
【說明書】：
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