[發明專利]一種GaN基電子器件及其制備方法在審
| 申請號： | 201610497031.1 | 申請日： | 2016-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN107546207A | 公開（公告）日： | 2018-01-05 |
| 發明（設計）人： | 陳振 | 申請（專利權）人： | 江西省昌大光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 330096 江西*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan 電子器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種GaN基電子器件，其特征在于，所述GaN基電子器件從下到上依次為：襯底層、緩沖層、模板層、溝道層、勢壘層、柵漏源金屬層、邦定層以及用于封裝電子器件的封裝體。
2.如權利要求1所述的GaN基電子器件，其特征在于，所述襯底層為藍寶石襯底、Si襯底以及SiC襯底中的一種。
3.如權利要求1所述的GaN基電子器件，其特征在于，所述緩沖層為AlN、GaN、AlGaN、AlInN以及AlInGaN中的一種或者多種組合。
4.如權利要求3所述的GaN基電子器件，其特征在于，所述緩沖層為多層結構或單層結構。
5.如權利要求1所述的GaN基電子器件，其特征在于，所述模板層為未摻雜GaN、Fe摻雜GaN、C摻雜GaN以及AlGaN中的一種或者多種組合。
6.如權利要求1所述的GaN基電子器件，其特征在于，所述勢壘層為AlN、AlGaN、AlInN以及AlInGaN中的一種或者多種組合。
7.如權利要求1所述的GaN基電子器件，其特征在于，所述邦定層為Sn或Au-Sn合金。
8.如權利要求1所述的GaN基電子器件，其特征在于，所述封裝體包含金屬焊盤和包封體，所述包封體通過所述金屬焊盤與所述邦定層焊接。
9.一種GaN基電子器件制備方法，其特征在于，所述制備方法應用于如權利要求1-8任意一項所述的GaN基電子器件，所述制備方法中包括：
A1在襯底層上從下到上依次生長緩沖層、模板層、溝道層以及勢壘層，得到GaN基電子器件的外延結構；
A2在所述勢壘層上制備柵漏源金屬層，得到芯片；
A3在所述柵漏源金屬層表面制備邦定層；
A4采用共晶的方式通過所述邦定層將步驟A2中形成的芯片焊接在封裝體中的金屬焊盤上，再使用所述封裝體中的包封體對其進行包封。
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