[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610495773.0
• 申請(qǐng)日: 2016-06-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107293477B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 竹田剛;菊池俊之
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社國(guó)際電氣
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02;H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 陳偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

具有將襯底向處理室搬送的工序、成膜工序和調(diào)整工序，其中所述成膜工序具有：

將第1氣體向所述襯底供給的工序；和

將第2氣體以第1高頻等離子化之后向所述襯底供給的工序，

所述調(diào)整工序具有：

在所述成膜工序后計(jì)測(cè)所述襯底的帶電情況、并基于該計(jì)測(cè)出的帶電情況來(lái)設(shè)定第2高頻的工序；和

將第3氣體以該第2高頻等離子化之后向所述襯底供給來(lái)調(diào)整所述襯底的帶電情況的工序。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

具有在所述襯底的帶電情況成為規(guī)定設(shè)定值內(nèi)之前重復(fù)進(jìn)行所述調(diào)整工序的工序。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

具有交替地進(jìn)行所述成膜工序和所述調(diào)整工序的工序。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

具有交替地進(jìn)行所述成膜工序和所述調(diào)整工序的工序。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

在所述調(diào)整工序中，基于計(jì)測(cè)出的所述帶電情況來(lái)調(diào)整所述第2高頻的電力和頻率中的某一方或雙方，由此調(diào)整通過(guò)等離子化而生成的帶電粒子向所述襯底的供給量。

6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

在所述調(diào)整工序中，基于計(jì)測(cè)出的所述帶電情況來(lái)調(diào)整所述第2高頻的電力和頻率中的某一方或雙方，由此調(diào)整通過(guò)等離子化而生成的帶電粒子向所述襯底的供給量。

7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

在所述調(diào)整工序中，基于計(jì)測(cè)出的所述帶電情況來(lái)調(diào)整所述第2高頻的電力和頻率中的某一方或雙方，由此調(diào)整通過(guò)等離子化而生成的帶電粒子向所述襯底的供給量。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

所述第2高頻設(shè)定為比所述第1高頻的電力小的電力。

9.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

所述第2高頻設(shè)定為比所述第1高頻的電力小的電力。

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

所述第2高頻設(shè)定為比所述第1高頻的電力小的電力。

11.一種襯底處理裝置，其特征在于，具有：

處理襯底的處理室；

向所述襯底供給第1氣體的第1氣體供給部；

向所述襯底供給第2氣體的第2氣體供給部；

向所述襯底供給第3氣體的第3氣體供給部；

將所述第2氣體和所述第3氣體等離子化的激發(fā)部；和

計(jì)測(cè)所述襯底的帶電情況的帶電計(jì)測(cè)部，

所述襯底處理裝置具有控制部，該控制部對(duì)所述第1氣體供給部、所述第2氣體供給部、所述激發(fā)部、所述帶電計(jì)測(cè)部和所述第3氣體供給部進(jìn)行控制，使得在供給所述第1氣體、并通過(guò)被供給了第1高頻的所述激發(fā)部將所述第2氣體等離子化之后向所述襯底供給的成膜步驟后，進(jìn)行如下步驟：計(jì)測(cè)所述襯底的帶電情況，通過(guò)被供給了基于計(jì)測(cè)出的所述帶電情況而設(shè)定的第2高頻的所述激發(fā)部將所述第3氣體等離子化之后向所述襯底供給，來(lái)調(diào)整所述襯底的帶電情況。