[發明專利]一種質譜離子源裝置

有效

• 申請號: 201610491641.0
• 申請日: 2016-06-29
• 公開（公告）號: CN105895494B
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發明（設計）人: 姜杰;李娜;張洪;于凱;何靜;趙丹丹
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學（威海）
• 主分類號: H01J49/10
• 分類號: H01J49/10;H01J49/26
• 代理公司: 威海科星專利事務所37202
• 代理人: 王元生

1.一種質譜離子源裝置，其特征在于：其包括針尖電極、絕緣介質、電源、儀器接口及氣體導管，所述絕緣介質固定在移動平臺上，所述絕緣介質與儀器接口間的距離為1-5 mm，所述絕緣介質位于針尖電極與儀器接口之間，所述針尖電極的尖端部分與絕緣介質接觸，另一端與電源相連，所述儀器接口接地并與電源另一端連接，所述針尖電極和儀器接口位于同一軸線上，針尖電極與儀器接口間形成強電場；放電氣體經氣體導管充滿于絕緣介質與儀器接口之間，放電氣體在強電場作用下形成等離子體束，所述等離子體束為錐形等離子體束，起始于絕緣介質表面，終止于儀器接口，并與儀器接口外徑大小一致，該等離子體束與絕緣介質表面待測物相互作用，使待測物電離，在針尖電極與儀器接口間形成的線性電場作用下，待測物離子進入儀器接口，實現分析檢測。

2.根據權利要求1所述質譜離子源裝置，其特征在于：所述電源為交、直流雙電源，針尖電極和儀器接口分別連接交流電源兩端，針尖電極同時還連接直流電源一端，而直流電源另一端接地。

3.根據權利要求1所述質譜離子源裝置，其特征在于：所述絕緣介質的厚度為0.15-1 mm。

4.根據權利要求1所述質譜離子源裝置，其特征在于：所述針尖電極尖端部分的直徑為5-200 μm。