[發(fā)明專利]一種提高CZTS/CdS異質(zhì)結(jié)整流比的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610491387.4
• 申請(qǐng)日: 2016-06-29
• 公開（公告）號(hào): CN105914244B
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程樹英;董麗美;賴云鋒;龍博;俞金玲;張紅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福州大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/0296
• 分類號(hào): H01L31/0296;H01L31/032;H01L31/072;H01L31/18;H01L21/02
• 代理公司: 福州元?jiǎng)?chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司35100
• 代理人: 蔡學(xué)俊

1.一種提高CZTS/CdS異質(zhì)結(jié)整流比的方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）選擇柔性鉬箔作為底電極，在濃硫酸和甲醇體積比1:7的混合溶液中進(jìn)行清洗，最后用去離子水沖干凈并用氮?dú)獯蹈桑?/p>

（2）利用溶膠凝膠法在鉬箔上制備金屬預(yù)制層薄膜，其后進(jìn)行硫化從而得到CZTS薄膜；

（3）將（2）的CZTS薄膜進(jìn)行等離子體處理，包括以下步驟：

A、將所述CZTS薄膜放置于腔室中，并抽真空至0.1Pa以下；

B、 在所述真空腔室中通入氣流為48 sccm的Ar氣，并保持腔室氣壓為100Pa，然后起輝；

C、調(diào)整節(jié)流閥使所述真空腔室保持在120Pa, 施加80~120W射頻功率于腔室內(nèi)的氣體，使其等離子化，并保持等離子體對(duì)CZTS薄膜的作用時(shí)間為120s；

（4）采用化學(xué)水浴法在（3）所得的等離子體處理后的CZTS薄膜表面沉積CdS薄膜；

（5）采用蒸發(fā)法在（4）制得的樣品表面鍍一層鋁電極。

2.一種如權(quán)利要求1所述的方法提高CZTS/CdS異質(zhì)結(jié)整流比。

3.一種如權(quán)利要求1所述的方法提高CZTS/CdS異質(zhì)結(jié)整流比的應(yīng)用，其特征在于：該方法在提高銅鋅錫硫薄膜太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率中的應(yīng)用。