[發(fā)明專利]一種GaN?MoS2分波段探測器及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610489139.6 | 申請日： | 2016-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN106129166B | 公開（公告）日： | 2017-07-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉新科;李奎龍;何佳鑄;陳樂;何祝兵;俞文杰;呂有明;韓舜;曹培江;柳文軍;曾玉祥;賈芳;朱德亮;洪家偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳大學(xué) |
| 主分類號： | H01L31/09 | 分類號： | H01L31/09;H01L31/18;H01L31/0304;H01L31/032 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)44312 | 代理人： | 王利彬 |
| 地址： | 518000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 gan mos sub 波段 探測器 及其 制備 方法 | ||
1.一種GaN-MoS2分波段探測器，其特征在于，包括：
GaN襯底；
附在所述襯底一面上的GaN材料層；
附在所述襯底的與所述GaN材料層相對的另一面上的MoS2材料層；
置于所述GaN材料層和所述MoS2材料層上的電極組；
所述GaN材料層與所述GaN襯底之間還具有GaN緩沖層，所述GaN緩沖層的厚度為20～50nm；
所述GaN材料層包括與所述襯底的距離由近及遠(yuǎn)依次覆蓋的n-GaN層、i-GaN層、p-GaN層，所述n-GaN層附在所述GaN緩沖層上。
2.如權(quán)利要求1所述的GaN-MoS2分波段探測器，其特征在于，所述MoS2材料層包括單層MoS2和SiO2層，所述單層MoS2位于所述SiO2層和所述襯底之間。
3.如權(quán)利要求1所述的GaN-MoS2分波段探測器，其特征在于，所述電極組包括n型歐姆接觸電極和p型歐姆接觸電極；所述n型歐姆接觸電極置于所述n-GaN層上，所述p型歐姆接觸電極置于所述p-GaN層上。
4.如權(quán)利要求2所述的GaN-MoS2分波段探測器，其特征在于，所述電極組包括兩個Au歐姆接觸電極和柵極；所述Au歐姆接觸電極置于所述單層MoS2上，所述柵極置于所述SiO2層上，所述柵極為肖特基接觸電極。
5.如權(quán)利要求1～4任意一項所述的GaN-MoS2分波段探測器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
制備GaN材料層；
制備MoS2材料層；
加工電極組；
所述制備GaN材料層的過程為：
將GaN襯底雙面拋光；
利用有機(jī)化學(xué)氣相沉積法或分子束外延法在所述GaN襯底的其中一面上依次生長GaN緩沖層、n-GaN層、i-GaN層及p-GaN層；
利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)或原子層沉積技術(shù)在所述p-GaN層上生長一SiN層。
6.如權(quán)利要求5所述的GaN-MoS2分波段探測器的制備方法，其特征在于，所述制備MoS2材料層的過程為：
清洗所述襯底的與所述GaN材料層相對的另一面后用氮氣吹干；
利用化學(xué)氣相沉積法在所述GaN的另一面上生長單層MoS2；
利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)或原子層沉積法在所述單層MoS2表面生長一SiO2層。
7.如權(quán)利要求6所述的GaN-MoS2分波段探測器的制備方法，其特征在于，所述加工電極組的過程為：
將所述SiN層去除；
分別在p-GaN層上制備p型歐姆接觸電極，在所述n-GaN層上制備n型歐姆接觸電極；
在所述MoS2層上制備兩個Au歐姆接觸電極，在所述SiO2層上制備柵極。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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