[發(fā)明專利]一種鉑納米線修飾的微電極陣列及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610486521.1 | 申請日： | 2016-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN106037719B | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 夏凱;吳天準;孫濱;曾齊 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳先進技術(shù)研究院 |
| 主分類號： | A61B5/283 | 分類號： | A61B5/283;A61B5/293;A61N1/05;C23C18/44;B82Y30/00;B82Y40/00;A61B5/279;A61B5/263 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址： | 518055 廣東省深圳*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 納米 修飾 微電極 陣列 及其 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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