[發明專利]氣體注入裝置、其制作方法及其應用的等離子處理裝置有效
| 申請號： | 201610486288.7 | 申請日： | 2016-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN107546093B | 公開（公告）日： | 2019-04-12 |
| 發明（設計）人： | 劉季霖;張潔 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）股份有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氣體 注入 裝置 制作方法 及其 應用 等離子 處理 | ||
1.一種等離子體處理裝置，其中，包括：
反應腔體，包括由頂板及反應腔側壁圍成的反應腔，所述頂板構成絕緣材料窗；
基片支撐裝置，其設置于所述反應腔內的所述絕緣材料窗下方；
射頻功率發射裝置，其設置于所述絕緣材料窗上方，以發射射頻能量到所述反應腔內；
反應氣體注入器，包括一絕緣外殼，所述絕緣外殼圍成一氣體擴散腔，所述氣體擴散腔一端與一反應氣體源相連接，一端靠近基片支撐裝置，包括若干氣體擴散通道；
所述絕緣外殼內表面設置一導體內襯，所述導體內襯包括一底壁，所述底壁設置一下沉式錐形結構，所述導體內襯在等離子體處理工藝過程中接地。
2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述反應氣體注入器設置在所述絕緣材料窗的中心區域。
3.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述導體內襯為金屬內襯，所述金屬內襯包括圓柱形側壁、底壁及上蓋。
4.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述氣體擴散腔上方設置一入射光裝置及一反射光接收裝置。
5.如權利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述入射光裝置及反射光接收裝置為一設有激光頭的干涉儀。
6.如權利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述干涉儀包括一金屬底座，所述金屬底座構成所述氣體擴散腔內部金屬內襯的上蓋，所述金屬底座的材質為鋁、鋁合金或不銹鋼中的一種。
7.如權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述金屬內襯為一片式結構或網格狀結構。
8.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述金屬內襯底壁設置一下沉式錐形結構，所述錐形結構的錐形面與水平方向的夾角范圍為10°-45°。
9.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述絕緣外殼包括耐等離子體腐蝕材料圍成的圓筒狀側壁及底壁。
10.如權利要求9所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述氣體擴散通道包括若干豎直貫穿所述導體內襯和絕緣外殼底壁的氣體通孔。
11.如權利要求10所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述氣體擴散通道還包括若干貫穿所述導體內襯和所述圓筒狀側壁的氣體通孔。
12.如權利要求11所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述氣體通孔的孔徑小于等于5mm。
13.如權利要求10所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述若干氣體通孔的開口面積之和大于等于所述絕緣外殼底壁面積的20%。
14.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：所述導體內襯與反應氣體接觸的表面設置一層陽極氧化膜。
15.一種氣體注入裝置，設置于一等離子體反應腔內，其特征在于：所述氣體注入裝置包括一絕緣外殼，所述絕緣外殼圍成一氣體擴散腔，所述氣體擴散腔一端與一反應氣體源相連接，一端設置若干氣體擴散通道，所述絕緣外殼內部設置一接地的導體內襯，所述導體內襯包括一底壁，所述底壁設置一下沉式錐形結構。
16.如權利要求15所述的氣體注入裝置，其特征在于：所述絕緣外殼包括由耐等離子體腐蝕的陶瓷材料制成的環形側壁及底壁。
17.如權利要求15所述的氣體注入裝置，其特征在于：所述導體內襯為金屬內襯，所述金屬內襯包括圓柱形側壁、底壁及上蓋。
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