[發(fā)明專利]沉積制程的參數(shù)調(diào)整方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610481984.9
• 申請日: 2016-06-27
• 公開（公告）號: CN107541716B
• 公開（公告）日: 2019-09-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 洪世瑋;陳培儂;劉旭水;林劍鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種沉積制程的參數(shù)調(diào)整方法，包含：接收至少一制程腔體的至少一幾何參數(shù)以及至少一熱輻射參數(shù)；至少根據(jù)幾何參數(shù)與熱輻射參數(shù)，建立制程模型；根據(jù)制程模型，模擬沉積制程，借此預(yù)測制程腔體中的至少一物理場；與根據(jù)物理場，調(diào)整沉積制程的至少一參數(shù)，并據(jù)此進行沉積制程。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施例是關(guān)于一種沉積制程的參數(shù)調(diào)整方法。

背景技術(shù)

化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition；CVD)是一種應(yīng)用在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中生產(chǎn)薄膜的技術(shù)。化學(xué)氣相沉積包括常壓化學(xué)氣相沉積、電漿增強化學(xué)氣相沉積、激光輔助化學(xué)沉積、金屬有機化學(xué)氣相沉積等。在化學(xué)氣相沉積的過程中，晶圓將暴露于一種或多種制程氣體中，而這些制程氣體可能會發(fā)生不同的變化，例如分解、沉積等反應(yīng)并附著于晶圓上，繼而在晶圓上形成所需的薄膜。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一技術(shù)方案在于提供一種沉積制程的參數(shù)調(diào)整方法，其能使制程腔體內(nèi)所預(yù)測的物理場更為準(zhǔn)確。

根據(jù)本發(fā)明的多個實施例，一種沉積制程的參數(shù)調(diào)整方法包含接收至少一制程腔體的至少一幾何參數(shù)以及至少一熱輻射參數(shù)；至少根據(jù)幾何參數(shù)與熱輻射參數(shù)，建立制程模型；根據(jù)制程模型，模擬沉積制程，借此預(yù)測制程腔體中的至少一物理場；與根據(jù)物理場，調(diào)整沉積制程的至少一參數(shù)，并據(jù)此進行沉積制程。

根據(jù)本發(fā)明的多個實施例，一種沉積制程的參數(shù)調(diào)整方法包含建立制程腔體的制程模型；將第一物理場考慮為變數(shù)，根據(jù)制程模型進行模擬，得到非全耦合模擬結(jié)果；將第二物理場考慮為變數(shù)，并代入非全耦合模擬結(jié)果，根據(jù)制程模型進行模擬，借此預(yù)期制程腔體中的第一物理場與第二物理場；與根據(jù)第一物理場與第二物理場，調(diào)整沉積制程的至少一參數(shù)，并據(jù)此進行沉積制程。

根據(jù)本發(fā)明的多個實施例，一種沉積制程的參數(shù)調(diào)整方法包含接收至少一制程腔體的至少一熱輻射參數(shù)與至少一反射參數(shù)；至少根據(jù)熱輻射參數(shù)與反射參數(shù)，建立制程模型；根據(jù)制程模型，模擬沉積制程，借此預(yù)測制程腔體中至少一物理場；以及根據(jù)物理場，調(diào)整沉積制程的至少一參數(shù)，并據(jù)此進行沉積制程。

本發(fā)明上述的多個實施例與已知先前技術(shù)相較，至少具有以下優(yōu)點：

(1)由于制程腔體的幾何參數(shù)與熱輻射參數(shù)都被包含在所建立的制程模型中，因此，所預(yù)測的物理場將會更為準(zhǔn)確。更準(zhǔn)確的預(yù)測，能夠讓調(diào)整后的參數(shù)更確實地把沉積制程最佳化。

(2)通過接收制程腔體的至少一反射參數(shù)，并在建立制程模型時也考慮到所接收的反射參數(shù)，能有利于模擬熱能被反射至晶圓，并對晶圓溫度變化所產(chǎn)生的影響，進而使得所預(yù)測的物理場更為準(zhǔn)確。

(3)由于在非全耦合的模擬方式中，計算機在進行模擬及運算時將分為兩個階段逐一進行，因此，當(dāng)在模擬并運算的過程中發(fā)現(xiàn)錯誤時，非全耦合的模擬方式能讓使用者更容易追溯出錯的源頭，為使用者帶來方便。

(4)在應(yīng)用非全耦合的模擬方式時，由于物理場的考慮及計算是分階段性的，因此，在每一個階段中，計算機所使用的隨機存取記憶體，將會有效減少。如此一來，計算機進行模擬及運算的效率也得以提高。

(5)在應(yīng)用非全耦合的模擬方式時，由于物理場的考慮及計算是分階段性的，因此，所涉及的網(wǎng)格數(shù)量也可以相應(yīng)減少。如此一來，計算機進行模擬及運算的效率也得以提高。

附圖說明

圖1繪示依照本發(fā)明多個實施例的沉積制程的參數(shù)調(diào)整方法的操作流程圖；

圖2繪示圖1的制程模型的立體示意圖；

圖3繪示圖1的步驟130的流程示意圖；

圖4繪示根據(jù)本發(fā)明多個實施例的處理系統(tǒng)的功能方塊圖。

具體實施方式