[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610479996.8 | 申請日: | 2016-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN106711169B | 公開(公告)日: | 2019-06-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 任從赫;李晙碩 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡勝有 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發(fā)光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
公開了一種有機發(fā)光顯示裝置,包括:基板,所述基板包括有源區(qū)域和焊盤區(qū)域;薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括漏極電極、源極電極和柵極電極;陽極電極;有機發(fā)光層;陰極電極;以及設置在所述基板的焊盤區(qū)域中的信號焊盤,所述信號焊盤位于與所述漏極電極和所述源極電極相同的層中,所述焊盤區(qū)域還包括位于所述信號焊盤上的第一焊盤電極以及位于所述第一焊盤電極上的第二焊盤電極。
本申請要求2015年11月16日提交的韓國專利申請No.10-2015-0160706的優(yōu)先權,在此援引該專利申請的全部內容作為參考。
技術領域
本公開內容的實施方式涉及一種有機發(fā)光顯示裝置,尤其涉及一種頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
背景技術
作為自發(fā)光顯示裝置的有機發(fā)光顯示(OLED)裝置具有低功耗、快速響應速度、高發(fā)光效率、高亮度和寬視角的優(yōu)點。
根據有機發(fā)光裝置發(fā)射光的方向,OLED裝置大體上可分為頂部發(fā)光型和底部發(fā)光型。在底部發(fā)光型的情形中,電路裝置設置在發(fā)光層與圖像顯示表面之間,因此開口率可能由于電路裝置而降低。同時,在頂部發(fā)光型的情形中,在發(fā)光層與圖像顯示表面之間未設置電路裝置,因此可提高開口率。
圖1是現有技術的頂部發(fā)光型OLED裝置的剖面圖。
如圖1中所示,包括有源層11、柵極絕緣膜12、柵極電極13、絕緣中間層14、源極電極15和漏極電極16的薄膜晶體管層T設置在基板10的有源區(qū)域(AA)上,然后在薄膜晶體管層T上按順序設置鈍化層20和平坦化層30。
此外,在平坦化層30上設置陽極電極40和輔助電極50。設置輔助電極50是為了減小下文所述的陰極電極80的電阻。
在陽極電極40和輔助電極50上,設置堤部60以界定像素區(qū)域。此外,在由堤部60界定的像素區(qū)域中設置有機發(fā)光層70,并在有機發(fā)光層70上設置陰極電極80。
在頂部發(fā)光型的情形中,從有機發(fā)光層70發(fā)射的光穿過陰極電極80。由于該原因,陰極電極80由透明導電材料形成,這導致陰極電極80的電阻增加。為了降低陰極電極80的電阻,陰極電極80與輔助電極50連接。
在基板10的焊盤區(qū)域(PA)上具有柵極絕緣膜12和絕緣中間層14。在絕緣中間層14上設置信號焊盤90,并在信號焊盤90上設置鈍化層20。為了連接信號焊盤90與外部驅動電路,在鈍化層20中設置孔,從而將信號焊盤90暴露到外部。
然而,現有技術的頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置可能具有下述缺點。
為了連接信號焊盤90與外部驅動電路,信號焊盤90的上表面暴露于環(huán)境中。因此,信號焊盤90的上表面可能被腐蝕,并且進一步地,信號焊盤90的腐蝕可能擴散至其他區(qū)域。為了防止信號焊盤90的上表面被腐蝕,可在信號焊盤90的上表面上額外設置具有出色抗腐蝕性的金屬層。在該情形中,必須執(zhí)行額外的工藝。
此外,為了連接信號焊盤90與外部驅動電路,在鈍化層20中設置孔,并且信號焊盤90的上表面經由鈍化層20的孔暴露。在該情形中,被提供用于構圖陽極電極40的蝕刻劑可能流到設置于鈍化層20中的孔中,由此信號焊盤90可能被蝕刻劑損壞。為了防止信號焊盤90被蝕刻劑損壞,可在構圖陽極電極40的工藝之后額外執(zhí)行用于形成暴露信號焊盤90上表面的孔的工藝,這導致額外掩模工藝的麻煩。
發(fā)明內容
因此,本公開內容的實施方式旨在提供一種基本上克服了由于現有技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題的頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置。
本公開內容的實施方式的一個方面旨在提供一種能夠使額外工藝最少并防止信號焊盤的腐蝕的頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





