[發明專利]肖特基二極管的制備方法和肖特基二極管

在審

• 申請號: 201610475075.4
• 申請日: 2016-06-24
• 公開（公告）號: CN107546124A
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發明（設計）人: 李理;趙圣哲;馬萬里;姜春亮
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L29/872
• 代理公司: 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙)11343
• 代理人: 尚志峰,汪海屏

1.一種肖特基二極管的制備方法，其特征在于，包括：

在N型襯底上依次形成N型外延層和第一介質層；

依次對所述第一介質層和所述N型外延層進行刻蝕，以分別形成所述N型外延層上的介質層臺階和所述N型外延層的溝槽；

以所述介質層臺階為掩膜對所述N型外延層進行刻蝕，以在所述溝槽的邊緣形成N型外延層臺階，進而形成臺階形溝槽；

在所述臺階形溝槽內形成第二介質層；

在形成所述第二介質層的臺階形溝槽內填充本征硅結構；

在完成所述本征硅結構的填充后，形成金屬電極。

2.根據權利要求1所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，在N型襯底上依次形成N型外延層和第一介質層，具體包括以下步驟：

采用外延工藝在所述N型襯底上形成所述N型外延層；

采用化學氣相淀積工藝和/或熱氧化工藝在所述N型外延層上形成所述第一介質層。

3.根據權利要求1所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述依次對所述第一介質層和所述N型外延層進行刻蝕，以分別形成所述N型外延層上的介質層臺階和所述N型外延層的溝槽，具體包括以下步驟：

在所述第一介質層上形成圖形化掩膜；

以所述圖形化掩膜層為掩膜對所述第一介質層進行各向同性刻蝕處理；

繼續對所述外延層進行各向異性刻蝕處理，以形成所述介質層臺階和所述溝槽。

4.根據權利要求1所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述在所述臺階形溝槽內形成第二介質層，具體包括以下步驟：

對所述臺階形溝槽進行熱氧化處理，以形成所述第二介質層。

5.根據權利要求1所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述在所述臺階形溝槽內形成第二介質層，具體還包括以下步驟：

對所述臺階形溝槽進行化學氣相淀積處理，以形成所述第二介質層。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述在形成所述第二介質層的臺階形溝槽內填充本征硅結構，具體包括以下步驟：

在形成所述臺階形溝槽后，采用化學氣相淀積工藝形成本征硅層；

對形成所述本征硅層的N型襯底進行盲刻處理，以保留所述臺階形溝槽內的本征硅結構。

7.根據權利要求6所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述盲刻處理對所述本征硅結構的刻蝕速率大于對所述第一介質層的刻蝕速率。

8.根據權利要求6所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述盲刻處理對所述外延層的刻蝕速率小于或等于對所述第二介質層的刻蝕速率。

9.根據權利要求7或8所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述本征硅結構為多晶硅層。

10.一種肖特基二極管，其特征在于，采用如權利要求1至9中任一項所述的肖特基二極管的制備方法制備而成。