[發明專利]一種AMOLED顯示基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201610473804.2
• 申請日: 2016-06-24
• 公開（公告）號: CN105914229B
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發明（設計）人: 蓋翠麗;林奕呈
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 許靜,黃燦

1.一種AMOLED顯示基板的制作方法，包括：

形成多個像素單元，形成每一像素單元的步驟包括：

形成第一存儲電容、薄膜晶體管和發光二極管，其特征在于，通過一次構圖工藝形成所述薄膜晶體管的有源層和所述第一存儲電容的第一電極，所述第一電極由導體材料制得；

通過一次構圖工藝形成所述有源層和第一電極的步驟包括：

依次形成半導體膜層和導電膜層，對所述半導體膜層和導電膜層進行一次構圖工藝，形成所述有源層和第一電極，其中，所述有源層由所述半導體膜層形成，所述第一電極由所述導電膜層形成；

所述制作方法還包括：

形成覆蓋所述有源層和第一電極的刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層中包括過孔；

在所述刻蝕阻擋層上形成所述薄膜晶體管的源電極和漏電極，所述源電極和漏電極通過所述過孔與所述有源層電性接觸；

所述漏電極在所述顯示基板所在平面上的正投影與所述第一電極在所述顯示基板所在平面上的正投影存在交疊區域，所述第一存儲電容的第二電極為所述漏電極；

所述像素單元還包括：

第二存儲電容，所述第二存儲電容的一個電極為所述漏電極。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，對所述半導體膜層和導電膜層進行一次構圖工藝，形成所述有源層和第一電極的步驟包括：

在所述導電膜層上涂覆光刻膠；

利用半色調或灰色調掩膜板對所述光刻膠進行曝光，顯影后，形成光刻膠完全保留區域、光刻膠半保留區域和光刻膠不保留區域，所述光刻膠完全保留區域對應所述第一電極所在的區域，所述光刻膠半保留區域對應所述有源層所在的區域，所述光刻膠不保留區域對應其他區域；

去除所述光刻膠不保留區域的導電膜層和半導體膜層；

通過灰化工藝去除所述光刻膠半保留區域的光刻膠；

去除所述光刻膠半保留區域的導電膜層；

剝離剩余的光刻膠，形成所述有源層和第一電極。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：

形成發光二極管的底電極和頂電極，所述底電極與所述漏電極電性連接，所述頂電極與所述第一電極電性連接，所述第二存儲電容的另一個電極為所述頂電極。

4.一種AMOLED顯示基板，其特征在于，采用權利要求1-3任一項所述的制作方法制得。

5.根據權利要求4所述的AMOLED顯示基板，其特征在于，所述第一電極的下方具有與所述第一電極的圖形一致的半導體層的圖形，所述半導體層與所述有源層由同一膜層制得。

6.根據權利要求5所述的AMOLED顯示基板，其特征在于，所述第一電極在所述顯示基板所在平面上的正投影與所述薄膜晶體管的漏電極在所述顯示基板所在平面上的正投影存在交疊區域，且所述第一電極和所述漏電極之間具有刻蝕阻擋層，形成第一存儲電容。

7.根據權利要求6所述的AMOLED顯示基板，其特征在于，所述發光二極管包括底電極和頂電極，所述底電極與所述漏電極電性連接，所述頂電極與所述第一電極電性連接，所述頂電極在所述顯示基板所在平面上的正投影與所述漏電極在述顯示基板所在平面上的正投影存在交疊區域，且所述頂電極和所述漏電極之間具有絕緣層，形成第二存儲電容。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求4-7中任一項所述的

AMOLED顯示基板。