[發(fā)明專利]一種碳納米管膜的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610473529.4
• 申請日: 2016-06-22
• 公開（公告）號: CN106115656B
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曹雪波;宋利;谷俐;李雷
• 申請（專利權(quán)）人: 嘉興學(xué)院
• 主分類號: C01B32/16
• 分類號: C01B32/16;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 杭州天勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司33224
• 代理人: 沈自軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及新材料制備領(lǐng)域，特別是涉及一種碳納米管膜的制備方法。

背景技術(shù)

碳納米管(Carbon Nanotubes，CNTs)具有比表面積大，導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性好，熱穩(wěn)定和機(jī)械穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn)，是設(shè)計組裝功能薄膜的理想原料。碳納米管膜，除了延續(xù)單個碳納米管的獨(dú)特物理化學(xué)性質(zhì)，同時也避免了納米微細(xì)顆粒對環(huán)境和人體的潛在威脅，組裝而成的宏觀二維薄膜更有利于材料在電子工業(yè)的應(yīng)用，如制備柔彈電極，液晶顯示器，二極管，尤其是在電化學(xué)能量轉(zhuǎn)換和能量存儲上有更大的發(fā)展前景(Ying Zhou,Satoru Shimada,Takeshi Saito,Reiko Azumi,Building interconnects in carbon nanotube networks with metal halides for transparent Electrodes,Carbon 87(2015),61-69.Claudia A.Santini,Alexander Volodin,Chris Van Haesendonck,Stefan De Gendt,Guido Groeseneken,Philippe M.Vereecken,Carbon nanotub–carbon nanotube contacts as an alternative towards low resistance horizontal interconnects,Carbon 49(2011),4004-4012.)。

根據(jù)手性不同，單個碳納米管以金屬性或半導(dǎo)體性展現(xiàn)，而碳納米管膜是二者性質(zhì)的混合，隨著膜厚度的增加帶來半導(dǎo)體性向金屬性的過渡(Liangbing Hu,et.al.,Carbon Nanotube Thin Films:Fabrication,Properties,and Applications,Chem.Rev.2010,110,5790–5844.)。當(dāng)碳納米管膜厚度在10-100nm時，展現(xiàn)出較好的光透性和電導(dǎo)性，可以替代銦錫氧化物(ITO)用于電極材料(M Kaempgen，CK Chan，J Ma，Y Cui，G Gruner,Printable Thin Film Supercapacitors Using Single-Walled Carbon Nanotubes,Nano Lett.,2009,9,1872.Qing Cao,et.al.,Transparent flexible organic thin-film transistors that use printed single-walled carbon nanotube electrodes,AdV.Mater.2006,18,304.)。當(dāng)厚度在微米級別時，可用做超級電容器、鋰離子和燃料電池的工作電極(RK Das,B Liu,JR Reynolds,AG Rinzler,Engineered macroporosity in single-wall carbon nanotube films,Nano Letters,2009,9(9):677-83.)。