[發明專利]太陽能電池片的氫鈍化處理方法及其處理裝置有效
| 申請號: | 201610472404.X | 申請日: | 2016-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN107546296B | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發明(設計)人: | 葉步章 | 申請(專利權)人: | 科嶠工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 鈍化 處理 方法 及其 裝置 | ||
本發明公開了一種太陽能電池片的氫鈍化處理方法,包括設定一光源的光照強度并使用該光源懸空照射太陽能電池片,該光源產生的輻射熱加熱太陽能電池片,而且使用一致冷介質致冷該太陽能電池片并使該太陽能電池片維持在一恒定溫度;其中,照射、加熱及致冷該太陽能電池片同時進行,藉此改善太陽能電池片在氫鈍化處理過程中的妥善率。為此,本發明還提供了一種實現上述方法的氫鈍化處理裝置。
技術領域
本發明涉及太陽能電池片的制造過程,特別涉及太陽能電池片中氫源的鈍化處理,更具體而言,本發明涉及一種太陽能電池片的氫鈍化處理方法及其裝置。
背景技術
太陽能電池片是由含有硅晶格的半導體芯片構成,由于在半導體芯片的生產過程中,難免存在結晶質量較差或純度不佳的硅晶格,這是造成太陽能電池片在使用過程中產生光衰現象進而影響電池效率及使用壽命的主要原因。
為了防止太陽能電池片產生光衰現象,目前在太陽能電池片的生產過程中,已有生產者利用光源來照射并加熱太陽能電池片,以便對太陽能電池中片所含的氫源進行鈍化處理。所謂氫源的鈍化處理,是指利用光源所提供的光照強度來照射熱太陽能電池片,并且利用光照過程中產生的熱能(例如輻射)來輔助加熱太陽能電池片,以便在提供充足光照強度及熱源的環境下,將氫原子結合到太陽能電池片的硅晶格內,填補結晶質量較差或純度不佳的硅晶格,從而防止太陽能電池片在使用過程中產生光衰。
由于可生成光照強度及熱能的光源種類繁多,對于氫源的鈍化處理,CN104701419 A及CN 101405875 A專利已廣義地公開了對太陽能電池片依序進行事前預熱、光照同時加熱,以及加熱后冷卻的氫源鈍化處理技術。然而,太陽能電池片為了能夠取得有利于氫源鈍化的充足光照強度,而于接受光照過程中所能承受的加熱溫度的高或低,是氫源鈍化處理合格率是否符合期待的重要技術。
上述專利公開了利用的光源,并沒有提供如何維持其光照強度或控制熱輻射溫度的具體技術,以至于常因光照不足而使得太陽能電池片中的氫原子均勻的受光而填補到硅晶格內,或者為了取得有利于鈍化的較強的光照強度,迫使太陽能電池片承受過高溫度而適得其反。
為了防止太陽能電池片能于鈍化過程中取得有利于鈍化的較強光照強度,并且避免遭遇到過高熱輻射溫度而影響氫鈍化效果,上述專利公開于光照及加熱太陽能電池片之后,迅速地冷卻太陽能電池片。但是,此種后冷作法類似于金屬材料的回火處理,在太陽能電池片接受光照及其熱輻射加熱當下,雖能獲得充足的光照,但因溫度過高影響了氫鈍化效果,事后的冷卻過程并無法充分恢復氫鈍化的效果,以至于太陽能電池片經氫鈍化處理后可減少發生光衰現象的效果仍顯不佳,從而有待加以改善。
發明內容
有鑒于此,本發明的目的在于解決太陽能電池片在氫源鈍化(氫鈍化)處理過程中,特別是太陽能電池片依序進行事前預熱、光照同時加熱以及加熱后冷卻的制造過程之中,針對該光照同時加熱太陽能電池片的中段步驟,改善太陽能電池片接受光源所施加的光照強度及受熱溫度難以兩全其美的問題。
為了解決該問題,本發明的一較佳實施方案提供了一種太陽能電池片的氫鈍化處理方法,包括:S1:設定一光源的光照強度并使用該光源懸空照射太陽能電池片;S2:該光源產生的輻射熱加熱太陽能電池片,S2:使用一致冷介質致冷該太陽能電池片維持在一恒定溫度;其中,S1、S2及S3該太陽能電池片是同時進行。
上述方法在進一步實施中,還包括以下技術特征:
所述光源為LED燈組。所述光源的光照強度為至少20個太陽光強,并產生大于250℃的輻射熱。所述恒定溫度為250℃。
所述致冷介質為一常溫或低于常溫的氣體。所述低于常溫的氣體在光源與太陽能電池片之間形成冷房,進而接觸太陽能電池片進行熱交換。
或者說,所述低于常溫的氣體形成于太陽能電池片的底部,從而接觸太陽能電池片進行熱交換。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





