[發(fā)明專利]一種具有高CTI值的太陽能電池組件用背板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610470827.8 | 申請日: | 2016-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN105914248B | 公開(公告)日: | 2017-05-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 梅云宵;林維紅;王偉;周光大;林建華 | 申請(專利權)人: | 杭州福斯特光伏材料股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/049 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司33200 | 代理人: | 邱啟旺 |
| 地址: | 311300 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 cti 太陽能電池 組件 背板 | ||
1.一種具有高CTI值的太陽能電池組件用背板,由基底層、涂覆于基底層表面的耐候層和涂覆于基底層另一表面的粘結層組成;其特征在于,所述耐候層厚度為10μm-40μm,以質量份數(shù)計,由以下物料配置而成:含氟樹脂100份,固化劑10~30份,固化促進劑0.5~2份,無機填料5~40份,有機填料0~20 份,助劑1~5份,溶劑50~150份;所述粘結層厚度為10μm-40μm,以質量份數(shù)計,由以下物料配置而成:基體樹脂100份,固化劑5~25份,固化促進劑0.5~2份,無機填料5~40份,有機填料0~20份,助劑1~5份,溶劑50~150份;所述無機填料粒徑為0.3μm~3μm且經過表面改性,所述有機填料粒徑為1μm~5μm;所述無機填料采用偶聯(lián)劑進行表面改性處理,其具體方案如下:首先在高速分散機中加入一定質量的無機填料,保持釜內氮氣氛圍下,在3000-8000r/min轉速下邊攪拌邊加入偶聯(lián)劑,偶聯(lián)劑用量為無機填料用量的0.5wt%~5wt%,添加完畢后將轉速提高到10000-30000r/min,釜內溫度保持在至110°-140°C之間,繼續(xù)攪拌1~2h后自然冷卻至室溫,得到偶聯(lián)劑改性的無機填料,密封保存,待用;所述有機填料與耐候層的含氟樹脂,粘結層的基體樹脂進行預分散處理,采用高速分散機在1000~3000r/min轉速下分散5~15min,制備有機填料含量在20~30%的漿料。
2.根據(jù)權利要求1所述的具有高CTI值的太陽能電池組件用背板,其特征在于,所述的含氟樹脂選自偏氟乙烯、三氟乙烯-乙烯基醚共聚物、三氟乙烯-乙烯基酯共聚物、四氟乙烯-乙烯基醚共聚物、四氟乙烯-乙烯基酯共聚物。
3.根據(jù)權利要求2所述的具有高CTI值的太陽能電池組件用背板,其特征在于,所述基體樹脂選自聚氨酯、丙烯酸樹脂、含氟樹脂。
4.根據(jù)權利要求1所述的具有高CTI值的太陽能電池組件用背板,其特征在于,所述固化劑選自異氰酸酯、氨基樹脂、封閉型異氰酸酯、嵌段異氰酸酯、三聚氰胺。
5.根據(jù)權利要求1所述的具有高CTI值的太陽能電池組件用背板,其特征在于,所述無機填料選自氫氧化鋁、氫氧化鎂、滑石粉、黏土、硅酸、二氧化硅、空心玻璃微珠、空心陶瓷微珠、三氧化二銻;所述有機填料選自PTFE粉末、PVDF粉末、PE粉末、三聚氰胺焦磷酸鹽、三聚氰胺尿酸鹽、聚磷酸銨。
6.根據(jù)權利要求1所述的具有高CTI值的太陽能電池組件用背板,其特征在于,所述偶聯(lián)劑選自硅烷偶聯(lián)劑和鈦酸酯偶聯(lián)劑。
7.根據(jù)權利要求6所述的具有高CTI值的太陽能電池組件用背板,其特征在于,所述的硅烷偶聯(lián)劑選自γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-縮水甘油醚氨丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基-丙基三甲氧基硅烷 、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基甲基三甲氧基硅烷;所述的鈦酸酯偶聯(lián)劑選自異丙基三(二辛基焦磷酸酰氧基)鈦酸酯、異丙基三(二辛基磷酸酰氧基)鈦酸酯、異丙基二油酸酰氧基(二辛基磷酸酰氧基)鈦酸酯、單烷氧基不飽和脂肪酸鈦酸酯、雙(二辛氧基焦磷酸酯基)乙撐鈦酸酯。
8.根據(jù)權利要求1所述的具有高CTI值的太陽能電池組件用背板,其特征在于,所述的助劑選自分散劑、流平劑、消泡劑;所述溶劑選自甲苯、二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙二醇甲醚醋酸酯、丁酮;所述固化促進劑為有機錫類固化促進劑。
9.根據(jù)權利要求1所述的具有高CTI值的太陽能電池組件用背板,其特征在于,所述的基底層選自聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸丁二醇酯。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





