[發(fā)明專(zhuān)利]一種DUV LED外延片結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610466350.6 | 申請(qǐng)日： | 2016-06-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN105895759B | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-07-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 盧太平;朱亞丹;趙廣洲;許并社 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 太原理工大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/06 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 太原科衛(wèi)專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 張彩琴 |
| 地址： | 030024 *** | 國(guó)省代碼： | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 空穴 多量子阱發(fā)光層 阱層 光電子器件領(lǐng)域 襯底上表面 發(fā)光效率 交替堆疊 對(duì)阱層 緩沖層 晶體場(chǎng) 薄層 襯底 壘層 劈裂 調(diào)控 | ||
【說(shuō)明書(shū)】：
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
- 復(fù)式多量子阱發(fā)光層結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)方法及LED 外延結(jié)構(gòu)
- 包括具有多能級(jí)的三耦合量子阱結(jié)構(gòu)的光學(xué)設(shè)備
- 一種具有發(fā)光層多量子阱過(guò)渡層的LED外延結(jié)構(gòu)
- 半導(dǎo)體發(fā)光器件
- 包括具有非對(duì)稱(chēng)多能級(jí)的三耦合量子阱結(jié)構(gòu)的光器件
- 一種氮化鎵基發(fā)光二極管的外延片及其制作方法
- 一種氮化物發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)
- 一種GaN基發(fā)光二極管外延片及其制備方法
- 一種發(fā)光二極管外延片及其制造方法
- 量子阱結(jié)構(gòu)、芯片加工方法、芯片及激光器
