[發(fā)明專利]一種多晶硅還原方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610465438.6 | 申請(qǐng)日： | 2016-06-23 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106115709B | 公開（公告）日： | 2018-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃雪;李巖;張建新;張海峰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 南京德邦金屬裝備工程股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C01B33/021 | 分類號(hào)： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)32249 | 代理人： | 陳建和 |
| 地址： | 211100 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 多晶 還原 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種多晶硅還原的方法，其特征是采用以下多晶硅還原爐；還原爐包括底盤和爐體，所述爐體為底盤之上部，爐體為圓柱狀加半球頂?shù)姆磻?yīng)腔室；底盤為圓盤狀，原料氣進(jìn)口和尾氣出口均布在底盤上，底盤上均布30-50對(duì)電極，所述一半電極在底盤上均勻豎直安裝，另一半電極為吊裝電極，與底盤上豎直安裝電極交錯(cuò)分布，吊裝電極的底端距底盤3-10cm；吊裝電極的上端位置與圓柱狀與半球頂交界處平齊，原料氣進(jìn)口通過高為3-10cm的進(jìn)氣管安裝在底盤上；原料氣進(jìn)口和尾氣出口均布在底盤的不同半徑的圓周上，在一個(gè)半徑的圓周上布置原料氣進(jìn)口時(shí)，在相鄰的半徑的圓周上布置尾氣出口；在吊裝電極的上端平面位置設(shè)有溫度傳感器，控制原料氣的流量使得傳感器的溫度達(dá)到910-935℃；使得傳感器的溫度達(dá)到910℃-925℃；
溫度低于910℃時(shí)增大原料氣流量，溫度在升高接近或超過925℃時(shí)減少原料混合氣的流量。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南京德邦金屬裝備工程股份有限公司，未經(jīng)南京德邦金屬裝備工程股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610465438.6/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種數(shù)據(jù)庫讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)
