[發(fā)明專利]一種多晶硅還原方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610465438.6 | 申請日： | 2016-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN106115709B | 公開（公告）日： | 2018-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃雪;李巖;張建新;張海峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京德邦金屬裝備工程股份有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/021 | 分類號： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務(wù)所(普通合伙)32249 | 代理人： | 陳建和 |
| 地址： | 211100 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 多晶 還原 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種多晶硅還原的方法，其特征是采用以下多晶硅還原爐；還原爐包括底盤和爐體，所述爐體為底盤之上部，爐體為圓柱狀加半球頂?shù)姆磻?yīng)腔室；底盤為圓盤狀，原料氣進口和尾氣出口均布在底盤上，底盤上均布30-50對電極，所述一半電極在底盤上均勻豎直安裝，另一半電極為吊裝電極，與底盤上豎直安裝電極交錯分布，吊裝電極的底端距底盤3-10cm；吊裝電極的上端位置與圓柱狀與半球頂交界處平齊，原料氣進口通過高為3-10cm的進氣管安裝在底盤上；原料氣進口和尾氣出口均布在底盤的不同半徑的圓周上，在一個半徑的圓周上布置原料氣進口時，在相鄰的半徑的圓周上布置尾氣出口；在吊裝電極的上端平面位置設(shè)有溫度傳感器，控制原料氣的流量使得傳感器的溫度達到910-935℃；使得傳感器的溫度達到910℃-925℃；
溫度低于910℃時增大原料氣流量，溫度在升高接近或超過925℃時減少原料混合氣的流量。
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