[發明專利]一種多坩堝液相外延SiC晶體的方法有效
| 申請號： | 201610463988.4 | 申請日： | 2016-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN105970286B | 公開（公告）日： | 2018-04-10 |
| 發明（設計）人： | 朱燦;呂宇君;柏文文;竇文濤 | 申請（專利權）人： | 山東天岳先進材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B19/06 | 分類號： | C30B19/06 |
| 代理公司： | 濟南舜源專利事務所有限公司37205 | 代理人： | 趙斌,苗峻 |
| 地址： | 250100 山東省濟南市高新區新*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 坩堝 外延 sic 晶體 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種多坩堝液相外延SiC晶體的方法，其特征在于：采用一種多坩堝的承載裝置實現，該多坩堝的承載裝置結構如下：
包括腔體(1)，所述腔體(1)內設置有若干個坩堝(2)，所述坩堝(2)底部外側連接有石墨繩(3)，所述的坩堝(2)底部連接有SiC籽晶(4)，所述坩堝為石墨坩堝；
所述多坩堝液相外延SiC晶體的方法，具體步驟為：
將SiC籽晶固定在坩堝底部，并將Si原料置于坩堝內，之后將坩堝均勻放置在腔體內，并將每個坩堝底部連接的石墨繩聚集在一起置于腔體外，之后密閉腔體，并將腔體置于常規液相法中常規晶體生長裝置中，按照現有液相外延生長SiC晶體的方法調整參數；
待SiC晶體生長結束后，拉動石墨繩，使每只坩堝倒置，SiC晶體反轉到頂部從而實現與熔融液的分離。
2.實現權利要求1所述多坩堝液相外延SiC晶體方法的承載裝置，其特征在于：具體結構如下：
包括腔體(1)，所述腔體(1)內設置有若干個坩堝(2)，所述坩堝(2)底部外側連接有石墨繩(3)，所述的坩堝(2)底部連接有SiC籽晶(4)，所述坩堝為石墨坩堝。
3.根據權利要求2所述的承載裝置，其特征在于：所述的腔體(1)底部設置有轉軸。
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