[發明專利]溝槽型功率MOSFET器件及其制造方法在審
| 申請號： | 201610462883.7 | 申請日： | 2016-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN105957895A | 公開（公告）日： | 2016-09-21 |
| 發明（設計）人： | 朱袁正;葉鵬;劉晶晶 | 申請（專利權）人： | 無錫新潔能股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;張濤 |
| 地址： | 214131 江蘇省無錫市濱湖區高浪東路999號*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 功率 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
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