[發明專利]一種加工治具及晶圓制造方法在審
| 申請號： | 201610462607.0 | 申請日： | 2016-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN107546146A | 公開（公告）日： | 2018-01-05 |
| 發明（設計）人： | 李海濱;潘盼;許建華 | 申請（專利權）人： | 蘇州能訊高能半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/673;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙)11371 | 代理人： | 張玲 |
| 地址： | 215300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 加工 制造 方法 | ||
1.一種加工治具，其特征在于，包括載片和蓋板，所述載片上設置凹槽，所述凹槽用于承載晶圓，所述蓋板用于蓋設晶圓，所述蓋板上設置開口，所述開口用于晶圓的一部分從開口露出。
2.根據權利要求1所述的加工治具，其特征在于，所述凹槽為類U型凹槽，所述凹槽輪廓包括一條弧度不大于π的圓弧以及該圓弧的兩個端點處的切線。
3.根據權利要求2所述的加工治具，其特征在于，所述凹槽的圓弧的弧度在π/2～π之間。
4.根據權利要求2所述的加工治具，其特征在于，所述載片為圓形載片，所述載片的圓心與所述凹槽圓弧的圓心重合。
5.根據權利要求1所述的加工治具，其特征在于，所述凹槽的深度小于晶圓的厚度。
6.根據權利要求1所述的加工治具，其特征在于，所述凹槽采用干法刻蝕、濕法腐蝕、沉積方式或者機械加工中的一種方式或者多種方式組合制備得到。
7.根據權利要求1所述的加工治具，其特征在于，所述開口形狀與所加工晶圓形狀相同，所述開口的尺寸相對晶圓的尺寸按比例縮小。
8.根據權利要求1所述的加工治具，其特征在于，所述蓋板固定于一刻蝕機托盤上。
9.一種晶圓制造方法，其特征在于，包括：
將晶圓固定于一載片的凹槽內；
在晶圓表面制備刻蝕掩膜；
在晶圓表面制備背孔圖形；
利用一具有開口的蓋板蓋設晶圓，所述晶圓的一部分從所述蓋板的開口暴露出來；
在晶圓表面制備出背孔。
10.根據權利要求9所述的晶圓制造方法，其特征在于，所述在晶圓表面制備刻蝕掩膜的步驟之前，還包括步驟：
對所述晶圓進行減薄。
11.根據權利要求9所述的晶圓制造方法，其特征在于，所述在晶圓表面制備出背孔的步驟之后，還包括步驟：
去除晶圓的刻蝕掩膜，在晶圓上制備金屬。
12.根據權利要求9所述的晶圓制造方法，其特征在于，所述載片的凹槽輪廓包括一條弧度不大于π的圓弧以及該圓弧的兩個端點處的切線，所述晶圓內置于所述凹槽時，晶圓被所述圓弧抵持。
13.根據權利要求9所述的晶圓制造方法，其特征在于，所述開口形狀與所加工晶圓形狀相同，所述開口的尺寸相對晶圓的尺寸按比例縮小。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
