[發明專利]碳化硅晶須抗氧化涂層的制備方法在審
| 申請號: | 201610452898.5 | 申請日: | 2016-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN107523857A | 公開(公告)日: | 2017-12-29 |
| 發明(設計)人: | 范佳晨;趙云龍;徐丹;徐凱;徐再;趙維達 | 申請(專利權)人: | 張家港市山牧新材料技術開發有限公司 |
| 主分類號: | C30B1/10 | 分類號: | C30B1/10;C30B29/36;C30B29/62 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務所(普通合伙)32211 | 代理人: | 陸華君 |
| 地址: | 215625 江蘇省蘇州市張家港市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 碳化硅 晶須抗 氧化 涂層 制備 方法 | ||
技術領域
本申請涉及一種抗氧化涂層,特別是涉及一種碳化硅晶須抗氧化涂層的制備方法。
背景技術
碳化硅晶須是一種高模量、強度高、硬度大、耐磨、耐腐蝕、耐高溫的輕質結構材料,主要用于制備陶瓷基、金屬基、樹脂基等復合材料,以提高材料的強度、硬度、抗磨等性能,在宇航、原子能、汽車、船舶、新材料、化學、電力、石油、電子、環境、機械、冶金等工業領域有著廣泛的用途。目前,最普遍的應用是碳化硅晶須增強增韌氧化鋁和氮化硅制做切削刀具、壓模充頭等。
制備碳化硅晶須的方法有很多,最成熟的技術是以炭黑、氧化硅微粉或稻殼為原料,添加Fe、Co、Ni的單質或其化合物的一種或幾種作催化劑,在石墨作發熱體地電爐中加熱至高溫而合成。用常規加熱電爐合成碳化硅晶須,不僅合成溫度高、產率低,而且操作復雜,發熱體成本高、損耗大。導致一是設備投資大;二是原料加熱不均勻,晶須產量相對較低;三是晶須的生產成本高,質量相對不高;四是操作困難,制備過程中產生的揮發性氣體常常影響高溫電爐的正常連續生產。
發明內容
本發明的目的在于提供一種碳化硅晶須抗氧化涂層的制備方法,以克服現有技術中的不足。
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:
本申請實施例公開一種碳化硅晶須抗氧化涂層的制備方法,包括步驟:
(1)、將氯鉑酸粉末溶解在無水乙醇中,制備催化劑溶液;
(2)、將H-PSO溶液和催化劑溶液混合攪拌,獲得混合溶液,調節混合溶液的pH值至8~9;
(3)、在水浴中進行交聯反應,獲得交聯產物;
(4)、將交聯產物磨成粉末;
(5)、將石墨基體埋在步驟(4)的粉末中,在高溫管式爐中進行高溫反應。
優選的,在上述的碳化硅晶須抗氧化涂層的制備方法中,步驟(1)中,催化劑溶液的濃度為1.5~1.8%。
優選的,在上述的碳化硅晶須抗氧化涂層的制備方法中,步驟(2)中,加入稀氨水調節混合溶液的pH值至8~9。
優選的,在上述的碳化硅晶須抗氧化涂層的制備方法中,步驟(3)中,交聯反應溫度為80~100℃,交聯反應20~30分鐘。
優選的,在上述的碳化硅晶須抗氧化涂層的制備方法中,步驟(5)中,高溫反應,升溫速率10℃/min,反應溫度1800~2000℃,反應時間8小時。
與現有技術相比,本發明的優點在于:本發明方法成本低、簡化工藝,并且表現出良好的高溫抗氧化性能。
具體實施方式
本發明通過下列實施例作進一步說明:根據下述實施例,可以更好地理解本發明。然而,本領域的技術人員容易理解,實施例所描述的具體的物料比、工藝條件及其結果僅用于說明本發明,而不應當也不會限制權利要求書中所詳細描述的本發明。
實施例1
碳化硅晶須抗氧化涂層的制備方法
(1)、將氯鉑酸粉末溶解在無水乙醇中,制備催化劑溶液,該催化劑溶液的濃度為1.5%;
(2)、將H-PSO溶液和催化劑溶液混合攪拌,獲得混合溶液,加入稀氨水調節混合溶液的pH值至8~9;
(3)、在100℃水浴進行交聯反應20分鐘,獲得交聯產物;
(4)、將交聯產物磨成粉末;
(5)、將石墨基體埋在步驟(4)的粉末中,在高溫管式爐中進行高溫反應,升溫速率10℃/min,反應溫度2000℃,反應時間8小時。
在顯微鏡下,石墨基體表面觀察到規則的近四方柱狀的晶須。經過X線粉末衍射法鑒定為2H相SiC晶須。
本發明方法成本低、簡化工藝,并且表現出良好的高溫抗氧化性能。
實施例2
碳化硅晶須抗氧化涂層的制備方法
(1)、將氯鉑酸粉末溶解在無水乙醇中,制備催化劑溶液,該催化劑溶液的濃度為1.8%;
(2)、將H-PSO溶液和催化劑溶液混合攪拌,獲得混合溶液,加入稀氨水調節混合溶液的pH值至8~9;
(3)、在80℃水浴進行交聯反應30分鐘,獲得交聯產物;
(4)、將交聯產物磨成粉末;
(5)、將石墨基體埋在步驟(4)的粉末中,在高溫管式爐中進行高溫反應,升溫速率7℃/min,反應溫度1800℃,反應時間10小時。
在顯微鏡下,石墨基體表面觀察到規則的近四方柱狀的晶須。經過X線粉末衍射法鑒定為2H相SiC晶須。
最后,還需要說明的是,術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含,從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素,而且還包括沒有明確列出的其他要素,或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于張家港市山牧新材料技術開發有限公司,未經張家港市山牧新材料技術開發有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610452898.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:對工件進行加工的系統和方法以及制品
- 下一篇:一種阻尼套





