[發(fā)明專利]基于氮化硅應(yīng)力薄膜與尺度效應(yīng)的AlN埋絕緣層上晶圓級單軸應(yīng)變SiGe的制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610445983.9 | 申請日： | 2016-06-20 |
| 公開（公告）號： | CN105938810B | 公開（公告）日： | 2019-02-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 戴顯英;梁彬;郝躍;盛喆;苗東銘;焦帥;祁林林 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 陜西電子工業(yè)專利中心 61205 | 代理人： | 王品華 |
| 地址： | 710071*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 氮化 應(yīng)力 薄膜 尺度 效應(yīng) aln 絕緣 層上晶圓級單軸 應(yīng)變 sige 制作方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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